GB／T 34481-2017标准规范下载简介

GB／T 34481-2017 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法.pdf

ICS77.040 HL 25

1华人民共和国国家标#

【冀】J12Z601：典型路面结构及道路工程细部构造GB/T 34481—2017

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度

est methodformeasuringetchpit density(EPD)inlow dislocationdensit monocrystallinegermaniumslices

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 中国国家标准化管理委员会

GB/T344812017

本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导 本研究所。 本标准主要起草人：惠峰、普世坤、董汝昆

GB/T344812017

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密厚 (EPD)的测量方法

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度

本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度（EPD)的测量方法。 本标准适用于测试位错密度小于1000个/cm、直径为75mm～150mm的圆形锗单晶片的位错 腐蚀坑密度。

本标准规定了低位错密度错单晶片的腐蚀坑密度（EPD)的测量方法。 本标准适用于测试位错密度小于1000个/cm²、直径为75mm～150mm的圆形锗单晶片的位 蚀坑密度。

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T5252锗单品位错腐蚀坑密度测量方法

锗单晶片经化学腐蚀法显示位错 微镜可观察视场面积内的腐蚀坑数目。位错质 容度等于穿过视场面积的腐蚀坑数目除以视场面积。锗单晶片主要有0°、（100)偏（111)6°和（100 1)9°三种，其位错图像分别如图1、图2、图3所示

（100）偏（111）9°200×

图2（100)偏(111)6°200×

金相显微镜，选取目镜10×，物镜20×，测量视场面积为1mm 注：为精确测量腐蚀坑密度，用标准量具精确测量视场面积

者单晶位错密度测试片的制备方法按GB/T5252

5.2.1以直径100mm错单晶测试片为例框-剪结构超高层施工组织设计，测量点如图4所示。对直径100mm锗单晶测试片，方格边 长为13mm，总测量点37个，测量点19在晶片中心。75mm、150mm锗单品测试片的方格边长分别 为10mm、21.8mm。 5.2.2各测量点应位干每个方格的中心

图4100mm锗单晶片测量点示意图

对区域1测量点视场面积内的腐蚀坑（其中心应在测量视场内)进行计数。如果腐蚀坑之间间隔太 近而难以计数，可提高放大倍数。计数完毕后，记录腐蚀坑数目和显微镜的放大倍数。对所有其他测量 点重复上述操作，即对晶片从第2个区域计数到第37个区域

每个测量点视场内的腐蚀坑密度按式（1)计算：

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式中： nd 单个测量点的腐蚀坑密度，单位为个每平方厘米（个/cm"）； 穿过视场面积s的腐蚀坑数目，单位为个； 一视场面积（确定测量点，放大200倍），单位为平方厘米（cm"）。 平均位错腐蚀坑密度N，按式（2)计算：

N。平均位错腐蚀坑密度DBJ∕T 15-22-2021 锤击式预应力混凝土管桩工程技术规程.pdf，单位为个每平方厘米（个/cm）