GB／T 36357-2018 标准规范下载简介

GB／T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范

芯片应符合本标准和相关详细规范的要求。本标准的要求与相关详细规范不一致时，应以相关详 细规范为准。

.1.2对详细规范的引用

本标准中使用“按规定”一词而未指明引用的文件时，即指引用相关详细规范。

划痕、翘曲等影响芯片贮存工作和环境适应能力的缺陷

DBJ50／T 043-2016 工程勘察规范.pdf芯片的外形尺寸应符合相关详细规范的规定

形尺寸应符合相关详细规

芯片的外观质量应符合附录A的规定。

4绝对最大额定值和特性

绝对最大额定值要求见表1

的光电特性应符合表2及相关详细规范的规定

GB/T 363572018

将芯片进行封装，按最低和最高贮存温度进行温度循环试验，循环次数按规定。试验后，性能参数 符合表6的规定。

将芯片进行封装，进行循环湿热试验，试验后，性能参数符合表6的规定。

3.5.5恒定加速度（仅适用于空腔封装器件）

将芯片进行封装，其通电时间按照GB 2006的3.10.2的规定，加电工作168h后，电 符合表5的规定；加电工作1000h后，电性能符合表6的规定

3.7静电放电敏感度（适用时）

按照SJ/T11394一2009中规定的方法进行人体模式静电放电敏感度和/或机器模式静电放电敏感 度分级试验，分级标准见附录B。

4.1.1标准大气条件

4.1.2加电工作条件

4.1.3试验条件和方法

如无特殊规定，应按照IEC60749规定的条件和方法进行试验，如经试验证明由替代的方 验合格的产品用规定的方法检验也合格，则也可以用替代方法检验。 进行探针测试时，应按SJ/T11399一2009中4.1的规定

按附录A规定的方法进行检验，使用准确度符合要求的量具测量芯片的尺寸，应符合3.2.2的 规定。

安附录A规定的方法进行检验，应符合3.2.3的规

按照SI/T113992009中规定的方法

4.4.3光功率或发光强度或光通量

发光强度及光功率，应符合3.4.2.3的规定。

4.4.4主波长或峰值发射波长

温度循环试验按GB/T2423.22一2012的规定进行，试验后符合3.5.3的规定

4.5.5恒定加速度（适用于空腔封装器件）

恒定加速度试验按GB/T2423.15一2008的规定进行.试验后符合3.5.5的规定

的工作电流，并持续规定的时间，试验后性能参数

按照SJ/T11394一2009中规定的方法进行人体模式静电放电敏感度和/或机器模式静电放电每 分级试验，试验后性能参数符合详细规范的规定

本标准规定的检验分为： a）筛选（见5.6)； b）鉴定检验（见5.7)； c）质量一致性检验（见5.8)

从晶圆加工开始，经由同一组工艺过程的晶圆构成一个品圆批。每个晶圆批应给定一个能追测 有品圆加工步骤的识别代码

和质量一致性检验的抽样应按本标准和相关详细

当提交鉴定检验不符合要求时，应重新进行鉴定检验。当质量一致性检验的任一检验批不符合要 求时，应进行失效分析并确定失效机理。如确认该失效是可以通过对整批晶圆的芯片重新筛选而有效 别除的缺陷；或者该失效并不反映产品具有基本设计或基本生产工艺问题的缺陷，则充许对该分组采用 加严检验（按双倍样品量及合格判定数为零的方案）重新提交一次。重新提交的批不得与其他的批相 混。如果失效分析表明失效是由于基本工艺程序不良、基本设计缺陷或是无法通过筛选别除的缺陷，则

GB/T363572018

B组检验按表5进行。 从筛选合格的检验批中随机抽取芯片，按使用方认可的标准封装程序进行封装，首先将芯片安装 壳的底座上并进行引线键合，使裸露（未灌胶）的芯片形成导电和导热通路，这样的组装半成品用于 B1分组和B2分组检验，封装成品进行B3分组和B4分组检验

表5B组检验（逐批）

从筛选合格的检验批中随机抽取芯片样品，按使用方认可的标准封装程序进行封装。按表6进 检验，C组检验每6个月进行一次

表 6 C组检验（周期）

GB/T363572018

当提交质量一致性检验的任一检验批不符合A组、B组或C组检验中任一分组要求，且不再 者不能再次提交时，或者再次提交（见5.5）仍不合格时，则判该批产品不合格

筛选、鉴定检验和质量一致性检验记录以及失效分析报告、不合格、重新提交及其他问题的处理记 录至少保存5年。

产品包装应符合以下要求！

b） 包装（蓝）膜不得破损，（蓝）膜边沿应干净，膜上应无杂物颗粒和多余散乱的芯片； C 被包装芯片应位于（蓝）膜中心，芯片数量和排列区域大小应符合产品规格书要求 d 标签内容应准确，参数等级应符合产品规格书要求； e）标签粘贴位置应合适，标签应完整、洁净，标签字迹应清晰，不得有涂抹、污染的现象

6.1.2包装容器上的标志

芯片包装容器上的标志应包括下列内容： a) 芯片型号、规格及参数； b）详细规范号； c) 承制方名称或商标； d) 检验批识别代码； e) 数量； f) ESDS等级标志（见附录B，适用时）

芯片包装容器上的标志应包括下列内容： a）芯片型号、规格及参数； b）详细规范号； c）承制方名称或商标； d）检验批识别代码； 数量； f ESDS等级标志（见附录B，适用时）

芯片运输过程中应避免受到高温、潮湿、机械损伤、静电放电和沾污

芯片应储存在10℃～30℃，相对湿度不大于30%的充氮十燥箱或十燥塔中。满足以上条件的 百效贮存期为12个月。

附录A （规范性附录） 中功率半导体发光二极管芯片的目检

检验中功率半导体发光 有缺陷的芯片

本检验所需设备包括具有规定放大倍数的光学仪器和作为目检判据的标准样品或图样、照片等，使 操作者能对受检芯片的接收与否做出客观的判断。此外还需要有利于芯片检查而又不使芯片受到损伤 的合适夹具

A.3.1.1环境要求

芯片应在相对湿度45%～75%，温度15℃～35℃的ISO8级的净化环境及有相应级别静电防护 条件的环境中进行目检

A.3.1.2放大倍数

除非另有规定，采用放大倍数20倍～40倍的单目、双目或立体显微镜进行检验，操作人员使用不 损坏芯片的工具，在适当的照明下进行检验，以确定器件是否符合规定的要求

A.3.1.3检验顺序

承制方可自行安排检验顺序。

承制方可自行安排检验顺序。

这些检验适用于正装芯片的非同侧电极结构（见图A,1）、正装芯片的同侧电极结构（见图A.2） 芯片的同侧电极结构（见图A.3），对受检芯片的正面、侧面和背面进行检验。探针测试点不作 陷。

图A.1正装芯片的非同侧电极结构示意图

图A.2正装芯片的同侧电极结构示意图

图A.3倒装芯片的同侧电极结构示意图

芯片不得有明显的缺角、裂纹、划伤及气泡。芯片不得有双胞，不得有多出边框的管芯等缺陷。划 裂片不能伤至芯片金属P、N电极或透明电极

A.3.2.3金属化表面

芯片的金属化表面应均匀、无变色，电极无跷起或起皮，表面污染面积、刮伤、压伤等应符合详细规 范规定

A.3.2.4外形尺寸

使用准确度符合要求的量具测量芯片的尺寸。 出现下列情况均为不合格： a）芯片尺寸只有原来芯片面积90%以下； b）带有15%以上邻近的芯片； c）虽带有15%以下邻近芯片，但在邻近芯片上可看见电极金属化层； d）厚度偏差超过规定值时

A.3.2.5镀层（金属镀层和介质镀层）缺陷

A.3.2.7芯片排列

芯片排列出现表A.1所述缺陷均为不合格

CECA GC4-2017：建设项目全过程造价咨询规程GB/T363572018

表A.1芯片排列的缺陷示例

A.4详细规范中应规定的内容

详细规范中应规定以下内容： a）放大倍数； b）芯片外形尺寸； c）厚度偏差。

人体模式静电放电敏感度分级及标志见表B.1

人体模式和机器模式的静电放电敏感度分级及标

GB／T 22131-2022 筒形锻件内表面超声波检测方法.pdf1人体模式静电放电敏感度分级及标志

机器模式静电放电敏感度分级及标志见表B.2。

表B.2机器模式静电放电敏感度分级及标志