标准规范下载简介

GB／T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片.pdf

ICS 29.045 CCS H 82

GB/T 41325—2022

天津某高层住宅群测量施工方案集成电路用低密度晶体原生凹坑

Low density crystal originated pit polished monocrystalline silicon wafers for integratedcircuit

国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会

GB/T413252022

本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导 本股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股 份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司 本文件主要起草人：孙燕、宁永铎、钟耕杭、李洋、徐新华、骆红、杨素心、李素青、张海英、由佰玲 潘金平。

本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导 本股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股 份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司， 本文件主要起草人：孙燕、宁永铎、钟耕杭、李洋、徐新华、骆红、杨素心、李素青、张海英、由佰玲 潘金平。

GB/T 413252022

集成电路用低密度晶体原生凹坑 硅单晶抛光片

集成电路用低密度晶体原生凹坑

GB/T41325—2022

SEMIM77晶片近边缘儿何形态的评价 边缘卷曲法（Testmethodfordeterminingwafernear

边光片的几何参数应符合

GB/T41325—2022

单位为10°每平方厘米

4.5体金属（铁）含量

COP抛光片的表面微粗糙度、表面纳米形貌、近边缘几何形态及其他特殊要求由供需双方协 王订货单中注明

5.1导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。 5.2电阻率的测试按GB/T6616的规定进行。 5.3厚度、总厚度变化、总平整度及局部平整度的测试按GB/T29507的规定进行。 5.4弯曲度、翘曲度的测试按GB/T32280的规定进行。 5.5局部光散射体的测试按GB/T19921的规定进行。 5.6表面质量（除局部光散射体）的检验按GB/T6624的规定进行。 5.7表面金属含量的测试按GB/T39145的规定进行。 5.8体金属（铁）含量的测试按YS/T679的规定进行，或由供需双方协商确定。

GB/T 413252022

氧化诱生缺陷的检验按GB/T4058的规定进行。 10表面微粗糙度的检验按GB/T29505的规定进行。 11表面纳米形貌的检验按SEMIM43的规定进行。 12近边缘几何形态的评价按SEMIM67或SEMIM68或SEMIM70或SEMIM77的规定进行

6.1.1产品应进行检验，供方应保证产品质量符合本文件及订货单的规定。 6.1.2需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本文件规定不符时某市深水港东海大桥工程施工组织设计方案，应在收到产品之日起三个月 内以书面形式向供方提出，由供需双方协商解决

COP抛光片应成批提交验收，每批应由相同规格

5.1导电类型的检验结果中有任意一片不合格时，判该批产品为不合格。 5.2电阻率、厚度及允许偏差、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、局部平整度、表面质量的接 量限（AQL）按表4的规定进行，或由供需双方协商确定。

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表4接收质量限（续）

光散射体、表面金属、体金属（铁）含量、氧化诱生缺陷、表面微粗糙度、表面纳米形貌、近边 检验结果的判定由供需双方协商确定

包装、标志、运输、购存和随行文件

闸门及启闭机安装施工方案a) 供方名称； b) 产品名称； C) 产品数量； d）“小心轻放”“防潮”“易碎”“防腐”标志或字样