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SJ 21152-2016 微波组件元器件选用指南.pdf家国防科技工业局 发布
微波组件元器件选用指南
3.6宇航用元器件的有效贮存期和超期复验应符合GJB/Z123的规定，其他元器件参照执行。 3.7选择表面贴装的细引脚高频器件，保证器件的高频及微波特性满足电路要求；不推荐使用带引脚 的插装器件，减小寄生电感带来的干扰
3.8所使用的元器件的工艺性应符合GIB3243及以下要求：
a) 元件宁 镀涂锡铅合金引线，镀层厚度不小于7.5μm，涂镀层中锡含量应在60%63%之间： 元器件引线可焊性应符合GJB128方法2026、GJB360方法107、GJB548方法2003或GJB548方 C 法2022中相关规定，其中表面组装元器件引线（焊端）可焊性应符合SJ/T10669的要求； 采用有铅焊接工艺的元器件应能承受10个焊接周期的加热，再流焊每个周期为215℃、60S， 波峰焊时每个周期为260℃、10s，并能承受在260℃的熔融焊锡中浸没10s; e 除非密封和半密封元器件外，元器件应能承受GJB3243规定的清洗剂的清洗，即在40℃的清 洗液中至少浸泡4min，元器件保持不损伤DL／T 1833-2018 柔性直流输电换流阀检修规程，不变形，标记不脱落，且不影响元器件性能和可 靠性； 引脚的共面性、焊端的焊料涂层厚度、元器件的尺寸、焊接特性及清洗特性应满足SJ/T10670 和GJB3243的要求。表面安装用的元器件的引线歪斜误差不大于0.08mm，引线共面误差不大 于0.1mm。
3.9微波组件元器件筛选要求如下：
a）元器件应按有关筛选技术条件进行筛选，合格后方能使用。片式元器件筛选禁止在不具备焊端 可焊性保护条件的情况下进行； b）筛选后不得降低或改变元器件的工艺性。不得改变元器件的原包装技术状态，如编带包装等。 3.10设计时应考虑元器件的可组装性、可测试性（包括目视检查）。对于不适应波峰焊和再流焊耐热 要求的表面贴装（SMD/SMC）原则上不予使用；如需使用，则对于焊接温度在250℃以下的SMD/SMC应 在电路设计文件上说明；对于小于0.5mm脚间距的四边扁平封装（QFP）应慎重考虑。 3.11星载、机载、人体生命工程、核电等电子产品应首选有铅元器件，只能选用无铅元器件时，其应 满足电子产品电性能和可靠性的要求。
电阻器的降额参数是环境温度、功率和电压。薄膜型电阻器降额等级见表2
表2薄膜型电阻器降额等级
电阻器除了考虑直流功耗外，还应考虑微波功率的承受能力。若同一电阻既有直流功耗，文有微 耗，则电阻承受的功率应为直流功率和微波功率之和
4. 2. 2 质量等级
选用电容的质量等级应满足微波组件的质量等级的要求。较常用的2类瓷介电容器和固体钼电解 器质量等级分别见表3、表4所示。
表32类瓷介电容器质量等级
表4固体钼电解电容器质量等级
4. 2. 4 其官
用于微波电路中的电容应考虑所承受的微波功率，如微波滤波电容、微波隔直电容等。
电感器型号用三个字母表示，LG代表固定电感器，LT代表可变电感器，其后加一引线形式区分字 母和代号，例如“A"代表轴向引线，“B"代表径向引线。
4.3.2.1电感器分为下列三级：
a)1级：耐浸渍和耐潮湿的电感器； b）2级：耐潮湿的电感器； c）3级：用于密封组件的电感器。
.2.2电感器按其最高工作温度（温升加最高环
a)0类：85℃; b)A类：105℃; c)B类：125℃; d)C类: 150 ℃.
电感器的降额的主要参数是热点温度(Ths)。为防止绝缘击穿，线圈的绕组电压应维持在降额值 感器的热点温度降额值与线圈绕组绝缘性能、工作电流、瞬态初始电流及介质耐压有关。电感器的 温度可用公式（1）近似计算：
THs=TA+1.14 T..
热点温度，单位为摄氏度（℃）； TA 环境温度，单位为摄氏度（℃）； △T温升，单位为摄氏度（℃）。 电感器的降额等级见表7。
表7电感器的降额等级
普通二极管有：检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等；特殊用途的有：变容二极 管、发光二极管、磁敏二极管、光电二极管、激光二极管等。在选用各类半导体二极管时，应根据用途、 性能、主要参数和电路的不同要求来选择。
二极管的降额准则如下： a）选用时应考虑主要参数的容差，容差要求如下： 1）正向电压：±10%； 2）稳定电压：±2%（适应于稳压二极管）； 3）恢复和开关时间：±20%。 b）二极管的反向电压、正向电流、额定功率的降额准等级见表8：
表8反向电压、正向电流、额定功率的降额等
表9二极管最高结温降额等级
二极管选用时注意以下几点： a）工作电压应小于二极管的反向击穿电压； b） 工作电流应小于二极管的额定电流； c）工作结温应小于二极管的允许最高结温； d 工作频率应满足微波组件工作的要求。如Ku波段开关、限幅二极管可选用芯片二极管，采用 键合线键合到微波电路中，以达到频率高、插损小的目的
4.5.1.1晶体管按频率可低频晶体管、高频晶体管、微波晶体管等。 4.5.1.2按功率划分可分为小功率晶体管、中功率晶体管、大功率晶体管。 4.5.1.3晶体管按功能分为放大、混频、开关、振荡等类。 4.5.1.4晶体管按结构可分为双极型晶体管（BJT）、场效应晶体管（FET）全
5.1.5晶体管按代划分有一代器件（硅、锗材料等）、二代器件（砷化镓、磷化铟材料等）、三 件（碳化硅、氮化镓材料等）
表10晶体管四种质量保证等级要求的主要差
4.5.3.1降额参数
表11晶体管的降额等级
表11晶体管的降额等级
4.5.3.2最高结温降额
降额后的最高经 见表12。
DB52／T 942-2014 道路沥青液态高饱和分再生剂表12晶体管量高结温降额等
为了保证微波组件长期可靠工作，设计和选用晶体管时应考虑的晶体管主要参数容差，其数值如下： a 电流放大倍数：±15%（适用于已经筛选的晶体管）、±30%（适用于未经筛选的晶体管）； b）开关时间：20%; c饱和压降：15%。
4.5.5.1高频电路选用高频晶体管，截止频率应是工作频率fo的3倍。 4.5.5.2脉冲电路应选用开关晶体管，且具有电流容量大，大电流特性好，饱和压降低的性1 4.5.5.3用于低噪声接收组件的晶体管，选用低噪声晶体管。 4.5.5.4发射组件选用功率或大功率晶体管。
4.5.5.2脉冲电路应选用开关晶体管，且具有电流容量大，大电流特性好室内操作平台施工方案，饱和压降低的性能。 .5.5.3用于低噪声接收组件的晶体管，选用低噪声晶体管。 .5.5.4发射组件选用功率或大功率晶体管。 .5.5.5 微波场效应晶体管的选用应按以下要求： a 微波场效应晶体管的工作频率应满足微波组件工作频率的要求； b 微波场效应晶体管的增益、噪声、功率等电参数应满足微波组件相关参数的设计要求； C 微波场效应晶体管的最高结温因制作材料不同而不同，结温降额应满足表12的要求； d) 微波场效应晶体管的管脚的可焊性应符合SJ/T10669中的要求； e 芯片类微波场效应晶体管芯的正面、背面及键合压点处应清洁、无氧化层，应满足GJB548 相关试验要求。
4.5.5.5微波场效应晶体管的选用应按以下要求：
a）微波场效应晶体管的工作频率应满足微波组件工作频率的要求； b 微波场效应晶体管的增益、噪声、功率等电参数应满足微波组件相关参数的设计要求； C 微波场效应晶体管的最高结温因制作材料不同而不同，结温降额应满足表12的要求； d 微波场效应晶体管的管脚的可焊性应符合SJ/T10669中的要求； e 芯片类微波场效应晶体管芯的正面、背面及键合压点处应清洁、无氧化层，应满足GJB 相关试验要求，