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JCT2399-2017 偏置电场下材料热释电系数测试方法

案号：58623—2017

华人民共和国建材行业标

3D3S 基本操作手册JC/T 23992017

Test method for pyroelectric coefficient of pyroelectric materials under bias field

本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由中国建筑材料联合会提出。 本标准由全国工业陶瓷标准化技术委员会功能陶瓷分技术委员会(SAC/TC194/SC3)归口。 本标准起草单位：中国科学院上海硅酸盐研究所。 本标准主要起草人：曹菲、姚春华、毛朝梁、王根水、董显林。 本标准为首次发布。

电场下材料热释电系数测试方

本标准规定了直流偏置电场下材料热释电系数的术语和定义、测量原理、试样、测试条件、设备利 仪器、测试方法、计算和报告。

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T3389.1铁电压电陶瓷词汇

GB/T3389.1界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 直流偏置电场DCbiasfield 测量材料热释电系数时，施加在被测样品两端的直流电压称为直流偏置电压。直流偏置电压与被测 样品厚度的比值，称为直流偏置电场，

热释电系数测量装置见图1，该测量是通过直流电压源向试样施加直流偏置电场E)，再由高低温 试验箱确定温度随时间的变化率，测量试样的极化强度（P)随温度（T)的变化。 用电压表测量取样电阻（R)两端的电压值（U)，同时，记录温度（T)随时间(t)变化的曲线。根据公 式（1)可得到不同温度和直流偏置电场下的热释电系数（pm）。给出的热释电系数应指明测试温度和直流 偏置电场。

dt U At dT AxR AT

IC/T 23992017

图1热释电系数测量装置

试样应符合下列要求： a）试样为方形或圆形薄片，两个主表面积为10mm～100mm，厚度为0.20mm～1.00mm b） 试样应经细磨或抛光；表面应平整、清洁；试样的两个主表面应涂覆金属全电极；

试样应符合下列要求： a）试样为方形或圆形薄片，两个主表面积为10mm～100mm，厚度为0.20mm～1.00mm b）试样应经细磨或抛光；表面应平整、清洁；试样的两个主表面应涂覆金属全电极； c）在测试温度范围内，试样的体积电阻率应大于1x10"Q·cma

测试的大气条件如下： a) 温度：15℃~35℃； b） 相对湿度：25%~75%； c）大气压力：86kPa～106kPa。

6.2仲裁测试的大气条件

GB／T 26332.7-2022 光学和光子学 光学薄膜 第7部分：中性分束膜基本要求.pdf仲裁测试的大气条件如下： a）温度：(25±2)℃； b）相对湿度：45%～55%； c）大气压力：86kPa～106kPa

JC/T23992017

中裁测试的大气条件如下： 温度：(25±2)℃； 相对湿度：45%~55%； 大气压力：86kPa~106kPa。

a 将试样放入高低温试验箱，试样所处位置的温度应均匀，温度敏感元件应靠近试样且电绝缘， 如果低于室温测量时，则应抽密封试样，以防止试样受潮； 启动控温程序，待温度变至起始温度，保温10min～15min； 缓慢增加直流偏置电场至所需要值，2min～3min后加热试样，升温速率应为2℃/min～4℃/min， 温度采样间隔应不大于0.2℃，记录测得的电压（U)、温度(T)和时间()。

将试样放入高低温试验箱，试样所处位置的温度应均匀，温度敏感元件应靠近试样且电 如果低于室温测量时，则应抽密封试样，以防止试样受潮； 启动控温程序，待温度变至起始温度，保温10min～15min； 缓慢增加直流偏置电场至所需要值，2min～3min后加热试样，升温速率应为2℃/min～4℃ 温度采样间隔应不大于0.2℃，记录测得的电压（U)、温度（T)和时间()

按公式(1)分别计算对应直流偏置电场(E)与温度(T)时的热释电系数Pm

2019年注册道路专业案例（上真题解析）按公式(1)分别计算对应直流偏置电场（E)与温度（T）时的热释电系数Pm