DL／T 474.3-2018 标准规范下载简介

DL／T 474.3-2018 现场绝缘试验实施导则 介质损耗因数tanδ试验

电流进行矢量运算，幅值计算电容量 。tano。反复进行多伙量 果。测量结束，测量电路发出降压指令，变频电源缓速降压到OV

图2高压介质损耗测试仪原理接线图

介质损耗仪的具体技术参数，如测量范围、示值重复性、最小分辨率和内附高压电源技术参数等 参照标准DL/T962。 在200%干扰（即1g/ls≤2）下，损耗因数最大允许误差：±（1%×读数十0.0004）；电容量最大 允许误差：±（1%×读数+1pF）：频率：±0.01Hz。

TG／GW 277-2015 高速铁路声屏障维护管理办法5电力设备介质损耗因数tan的现场测试

本试验应在良好的天气，试品及环 相对湿度不大于80%的条件下进行

测试前，应先测量试品各电极间的绝缘电阻。必要时可对试品表面（如外瓷套或电容套管分压小 瓷套，二次端子板等）进行清洁或干燥处理。了解充油电力设备绝缘油的电气、化学性能（包括油的 tan）的最近试验结果。

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因电力变压器的外壳直接接地，所以现场测量时采用交流电桥反接线方式（或用M型介质试验器 等其他仪器）进行。试验电压规定见表1。

表1电力变压器试验电压

为避免绕组电感和励磁损耗给测量带来的误差，试验时需将测量绕组各相短路，非测量绕组各相 短路接地。电力变压器试验接线见表2。

2电力变压器试验接线

5.2.2试验结果判断及标准

变压器的tans在大修及交接时，相同温度下比较，不大于出厂试验值的1.3倍，历年预防性试验 比较，数值不应有显著变化，大修及预防性试验结果按照DL/T596规定进行综合判断。具体如下： a）110kV或16000kVA及以上变压器的tans宜在10℃～40℃范围内测量，测量结果的比较不宜 进行温度换算。 b）当110kV或16000kVA及以上变压器的tan大于初始值的1.3倍时，应结合绝缘油的tano、微 水等试验结果进行综合判断。 C） 应注意电容量的分析比较，当电容值与出厂值或初始值比较变化达土5%时，应结合变压器绕 组变形试验结果进行综合判断

测量装在三相变压器上的任一只电容型套管的tan和电容时，相同电压等级的三相绕组及中性点 （若中性点有套管引出者），必须短接加压，将非测量的其他绕组三相短路接地，否则会造成较大的误 差。现场应采用高压电桥正接线，将相应套管的测量用小套管引线接至电桥的C端，逐一进行测量。 末屏对地的tan采用反接线测量，加压在末屏与油箱座之间，另外将一次端子（连同短接绕组） 接到电桥的E端屏蔽，将非测量的其他绕组三相短路接地，试验时施加电压根据末屏绝缘水平和测量

灵敏度选用，一般可取2kV

5.3.2试验结果判断及标准

套管的tan按DL/T596进行综合判断。判断时应注意： a）tans值与出厂值或初始值比较不应有显著变化； b）电容式套管的电容值与出厂值或初始值比较一般不超过土5% c）当末屏绝电阻小于1000MQ时应测量末屏对地的tang。其值不大于2%。

现场使用高压电桥测量耦合电容器（包括断路器的断口均压电容器）的tan和电容时，宜采月 测量；反接线测量误差较大，有时由于湿度或其他因素的影响会出现偏大的试验结果。

5.4.2试验结果判断及标准

器和断路器断口均压电容器tans和电容值判断

5.5.1油浸链式和串级式电流互感器

5.5.1.1试验接线

5.5.1.2试验结果判断及标准

电流互感器的tans值，按DL/T596规定进行综合判断，且与出厂及历年数据比较，不应有显

5.5.2电容型电流互感器

5.5.2.1试验接线

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电容型电流互感器的结构如图3所示，最外层有末屏引出。试验时可采用高压电桥正接线进行一 次绕组对末屏的tan及电容的测量。电流互感器进水受潮以后，水分一般沉积在底部，最容易使底部 和末屏绝缘受潮。采用反接线测量末屏对地的tan和电容，加压在末屏与油箱座之间，另外将一次绕 组接到电桥的“E”端屏蔽，试验时施加电压根据末屏绝缘水平和测量 灵敏度选用，一般可取2kV。

5.5.2.2试验结果判断及标准

图3电容型电流互感器结构原理图

电容型电流互感器一次绕组对末屏tan的试验结果判断标准应不大于表4中的数值，电容量与初 始值或出厂值差别超出土5%范围时应查明原因；当末屏绝缘电阻小于1000MQ时应测量末屏对地的 tand。其值不大于2%

表4电容型电流互感器tang的标准

5.6.1.2试验接线

5.6.1.2.1主电容的C和tano,的测量

对于220kV级以上等级的CVT，其主电容大多是多节串联的，对于上面Ci各节，应用正接线测 量。下面重点说明与电磁单元连接的部分的测量。 测量主电容的tano;和Ci的接线如图5所示。由中间变压器励磁加压，加压绕组一般选择额定输 出容量最大的二次绕组。XT点接地，分压电容C2的“s”点接高压电桥的标准电容器高压端，主电容 C高压端接高压电桥的“Cx”端，按正接线法测量。由于“S”点绝缘水平所限，试验电压不超过 2kV。此时 C与C,串联组成标准支路。一般 C,的tan§~0，而 C,>C，故不影响测量结果。

5.6.1.2.2分压电容C,和tan,的测量

图5测量C、tand接线图

测量分压电容C2和tano2的接线图如图6所示。由中间变压器励磁加压。Xr点接地，分压电容C2 的“s”点接高压电桥的“C”端，主电容C高压端与标准电容C高压端相接，按正接线法测量。试 验电压应在高压侧测量。此时，C与C.串联组成标准支路。 试验时应注意下列事项： a）试验电压应大于电桥不确定度要求的最低电压。 b）试验电流不宜超过加压绕组额定电流，避免波形畸变影响数据准确性。 c）试验时加压绕组一般选择额定输出容量最大的二次绕组，必要时可两个二次绕组并联加压。 若在测量C2和tano2时，电桥电压升到10kV，由于C2电容量较大，做试验电源用的中间变压器 T1绕组中的电流值，可能超过其最大热容量。因此只要求试验电压能满足电桥灵敏度即可，一般 2kV~4kV可达到要求。 试验时加压绕组一般选择中间变压器T1的额定输出容量最大的二次绕组，在测量C2和tanoz时， C2和T1绕组及补偿电抗器L电感会形成谐振回路，从而出现危险的过电压，因此应在加压绕组间接 上阻尼电阻R。 目前，某些型号的自动介损仪能通过一次试验接线完成主电容C和分压电容C2的电容量和介损 测量，具体接线参考其仪器说明书。

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5.6.1.2.3中间变压器的C和tand测量

图6测量C、tang,的接线图

测量中间变压器的C和tano用反接线法。将C2末端。与C,首端相连，Xr悬空，中间变压器各二 次绕组均短路接地按反接线测量。由于点绝缘水平限制，外施交流电压2kV，其试验接线和等值电 路如图7所示。

5.6.1.3试验结果判断及标准

测量中间变压器tan和电容的接线和等值电路

电容分压器的试验标准见表3的规定，中间变压器的试验标准按DL/T596电磁式电压互 判断。图7b）中（C十C2）》Cr，因此按图7试验接线图测得的tans近似认为是tanor，测 似认为是CT。

5.6.2电磁式（油浸）全绝缘电压互感器

5.6.2.1试验接线

可以采用将一次绕组短路加压，各二次绕组均短路，接西林电桥Cx点的正接线方式来测量tano及

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容值；也可以采用对电桥的E点加压，将一次绕组短路，接QS，电桥的Cx点，其二次绕组均短 接地的反接线方式。

5.6.2.2试验结果判断及标准

电磁式电压互感器在交接试验时，35kV油浸式的tan可参照DL/T596规定判断。35kV以上的 在试验电压为10kV时，按制造厂试验方法测得的tano值不应大于出厂试验值的130%。 运行中电磁式电压互感器的tans值按DL/T596规定判断

5.6.3串级式（油浸）电压互感器

5.6.3.1结构原理

图8为220kV串级式电压互感器原理接线图。一次绕组分成4段，绕在两个铁芯上；两个铁芯被 支撑在绝缘支架上，铁芯对地分别处于3/4和1/4的工作电压，一次绕组最末一个静电屏（共有4个静电 屏）与末端“x”相连接，“x”点运行中直接接地。末电屏外是二次绕组ax和剩余二次绕组apxD。 “X”与ax绕组运行中的电位差仅100/V3V，它们之间的电容量约占整体电容量的80%。110kV级的绕 组及结构布置与220kV级类似，一次绕组共分2段，只有一个铁芯，铁芯对地电压为1/2的工作电压。

图8220kV串级式电压互感器原理接线图

5.63.2试验方法和接线

5.6.3.2.1测量串级式电压互感器tan§和电容的主要方法有：末端加压法、末端屏蔽法、常规试验 法和自激法。末端加压法采用较广，它的优点是电压互感器A点接地，抗电场干扰能力较强，不 足之处是存在二次端子板的影响，且不能测绝缘支架的tans值；末端屏蔽法“X”接屏蔽能排除端 子板的影响，能测出绝缘支架的tan值，电压互感器的预防性试验规定，必须增加对绝缘支架的 介质损失值的测试项目，因此DL/T596建议采用末端屏蔽法试验。自激法抗干扰力差，一般较少 采用。 5.6.3.2.2试验接线和方法如图9~图14和表5所示。

注：各符号的含义同图9

图9末端加压法测量接线

注：各符号的含义同图9。

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图11末端屏蔽法：电压互感器底座接地测量一次对二次绕组的试验接线（测出C.及tans

图11未端屏蔽法：电压互感器底座接地测量一次对二次绕组的试验接线（测出C.及tans

注：各符号的含义同图9

图13末端屏蔽法直接测量支架tan接线

图14常规法（反接线）接线

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吸式（分级绝缘）电压互感器测量tans的试验标

6现场测量的干扰影响和消除方法

被试设备周围不同相位（如A、B、C三相）的带电体与被试设备不同部位间存在电容耦合， 同部位的耦合电容电流（干扰电流）沿被试品和电桥测量电路（正、反、侧接线）流过，形成 尤，对现场tans的测量造成误差。由于被试设备结构不同，其受电场干扰的情况也不同，电场 向的具体消除方法参见附录A。

当电桥靠近电抗器等漏磁通较大的设备时可能会受到磁场干扰。通常，这一干扰主要是由于磁场 作用于电桥回路所引起。为了消除干扰的影响，一般可将电桥移动位置（约数米），即可移到磁场干扰 较小或影响范围以外。若不可能，则也可以在检流计极性转换开关处于两种不同位置时将电桥平衡，

6.3其他影响因素及消除方法

6.3.1其他影响因素

高压电桥应定期校验，试验时保证接线完好，不受潮。潮湿气候时，不宜采用加接屏蔽环来队 泄漏电流的影响。有条件时可采用电吹风吹干瓷表面或待阳光暴晒后进行测量。 被试物周围的杂物应予清除。自高压电源接到试品导电杆顶端的高压引线，应尽量远离试品口 ，有条件时高压引线最好自上部向下引到试品，以免杂电容影响测量结果

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附录A （资料性附录） 电场干扰影响的消除方法

在部分停电的现场，对可能受到邻近带电物体电场影响的被试品，特别是直按 的被试品电极，在可能条件下用内侧有绝缘层的金属罩、铝箔等加以屏蔽，屏蔽罩（箔）接地，以减 少电场干扰的影响

对于干扰电源和试验电源同频率时， 响。一般情况下，测量时将电源正、反倒相各测一次即可，若作反接线测量，且测得的tans≥15%时， 应将电源另选一相测试，使tang≤15%为止。 当tan?<10%时，实际tano.可简略地按下式计算：

tan、tano2—倒相前后的tano; R31、R32 一倒相前后的R3值。 应用选相倒相法所引起的误差在一般高压电桥允许的误差范围内。

R,Rs2 2 R,R2

当干扰源特别强，利用特制的可调电源加到桥件 影响。 图A1为以反接线为例在R:臂上加反干扰源测量tano的原理图。

图A.1R.臂加反干扰源原理图

在西林电桥的R3臂并接一个特制可调的电源（反干扰电源，电动势E，，内阻Z,），首先，IZs C 一》Z4l，所以反干扰源电流i,主要是流过R3和Z4臂，即：

支R4臂正好置于试品真实tanS对应位置，调节E

Is3+1g3=0 (i,+ig3)R,=△UB=0 is+i.=0

这就表示流过检流计的干扰电流1g4与反干扰电is4之和为零，电桥处于平衡。这时再加试验电压 电桥仍能处于平衡，即能得到较准确的tans值。

操作步骤如下： a）按常规的tans测量方法接好线（不加试验电源），将反干扰电源的两个输出端分别接入电桥的 C端和E端（或者是C,端和E端，或者是Cx端和C端）。 b）将电桥的R3调整在估计的测量值位置上（例如，试品电容为100pF左右时可将R3调整在大约 为15002的位置上），R3预调得越准确，一般一次调整反干扰电源装置，即可一次平衡成功， 测试数据准确。 c）合上电桥检流计电源，将检流计灵敏度放在适当位置，观察因电场干扰造成的检流计指示值， 以不超过2/3刻度为宜。 d）合上反干扰装置的电源，先调整反干扰装置输出的反干扰电流“幅值”，后调整其相位，使检 流计在灵敏度最大时，指示最小为止。 e 固定反干扰电源装置的“幅度”和“相位”，将检流计调至零位，然后合上试验电源，按常规 试验方法进行tano测量的平衡操作。 f 将试验电压降到零，反干扰装置的“幅值”与“相位”保持不变，将灵敏度调至最大位置。若 检流计指示很小，所测数据即为正确值。 g）若测试数据要求相当精确时，可重复d)、e）两项操作或进行电源正、反相测量

电桥采用移相电源，如图A.2所示。由于干扰电流I的相位在该被试设备的位置是不变的，所以 调节电桥电源电压亡的相位，i的相位便相应的变化，于是可以改变i和i，的夹角。当调节移相器使 它们的夹角为零的时候，上述即等于§，如图A.3所示。设在开关S的正、反两种不同位置下将电桥 调节到平衡，所得电桥读数为C、R和C4、R"，则被试品介质损失角为：

DB23 2500-2019 草原植物资源调查技术规程.pdf电桥的两次电容测量值为：

C R4 1+tans R R. R4 C'=C. R 1+tan° R'

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被试品的实际电容值（正比于Icx）为：

图A.2用移相电源消除干扰

用移相电源时的电流相量

GB／T 12085.17-2022 光学和光子学 环境试验方法 第17部分：污染、太阳辐射综合试验.pdfC+C~C,R(1 2 R K.

找出相应于夹角为零的移相器位置的方法如下：在图A.2中将B与D短接，开将K3在取人，此 时干扰电流I、由电源供给的被试品电流Ix均流过检流计G，它们的路径由图中虚线箭头所示。调节 移相电源的相角和电压幅值，使检流计指示为最小，此时即表示上述夹角接近零。断开电源，保持移 相电源相位，拆除BD短路，正式开始测量，将电压升至所需电压，若S在正、反位置下的tan值相 等即说明移相效果良好。 用移相法测试操作比较复杂。

可利用光纤传递信号、隔离高压、抗外电场干扰