标准规范下载简介

GB／T 37131-2018 纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法

ICS 17.180 G.10

1华人民共和国国家标#

GB/T 37131—2018

纳米技术半导体纳米粉体材料

GB/T3Z1312018

本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由中国科学院提出。 本标准由全国纳米技术标准化技术委员会（SAC/TC279)归口。 本标准起草单位：国家纳米科学中心、北京为康环保科技有限公司、广州特种承压设备检测研究院 北京市理化分析测试中心、北京科技大学、北京粉体技术协会， 本标准主要起草人：朴玲钰、吴志娇、曹文斌、杨麟、高峡、常怀秋、刘文秀、尹宗杰、高原。

GB/T3Z1312018

纳米技术半导体纳米粉体材料

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件 JF1232反射率测定仪校准规范 JIG178紫外、可见、近红外分光光度计检定规程

参比白板referenceofwhitetitle 反射比高、光谱选择性小的近似各向同性漫反射体。 3.7 禁带宽度energygap 带隙bandgap 半导体中电子两相邻允许基本能带相隔的能量范围。 注1：通常半导体材料禁带宽度是指价带顶到导带底的间隔值，常用符号E。或ε。表示，单位为电子伏特（eV） 注2：改写自SJ/T11067—1996，定义2.1。 3.8 T1

sap2000钢结构设计手册GB/T3Z1312018

积分球是一个金属空心球，内壁涂有高反射率材料（见图2）。参比光束与样品光束分别照射到参 比白板与样品上，经过漫反射进人积分球内部。光束在球内经多次漫反射，形成一个理想的漫射源，可 以消除被测样品与探测器件受光面的不均匀性带来的影响，以及测试中偏振的影响。 注：高反射率材料一般为Al.O、BaSO、MgO或聚四氟乙烯

样品池直径大于2cm

包括以下内容： a） 自制白板：取AlO：、BaSO、MgO或聚四氟乙烯四种材料之一放人样品池中并填满，用玻璃 棒压实，使其表面平整光滑； b 商用白板：表面干净，平整光滑： C）自制白板与商用白板均应计量检定后使用

应采用JJG178,JJF1232中仪器的校准方法对设备进行校准