DB34／T 3574.2-2019 标准规范下载简介

DB34／T 3574.2-2019 聚变装置铁磁性系统结构设计准则 第2部分：包层系统

ICS 27.120.10 F 61

DB 34/T 3574. 22019

DB37 5056-2016 民用建筑电线电缆防火设计规范聚变装置铁磁性系统结构设计准则

安徽省市场监督管理局 发布

本部分规定了聚变装置铁磁性系统中包层系统的术语和定义、系统功能及基本组成、系统设计、工 程设计、RAMI要求和安全要求。 本部分适用于聚变装置铁磁性系统中包层系统设计的所有阶段

DB34/T 3574. 22019

4.1实现聚变装置中氙的增殖。 4.2能量转换，将聚变产生的能量转换为可利用的热能或者电能， 4.3辐射屏蔽，减少放射性物质的扩散，保护磁体材料。

4.1实现聚变装置中氙的增殖。 4.2能量转换，将聚变产生的能量转换为可利用的热能或者电能 4.3辐射屏蔽，减少放射性物质的扩散，保护磁体材料。

5.1.1实现聚变装置产氙。

超导磁体材料的中子辐射，减少真空室等其他结

5.3.1增殖包层支撑：支撑结构的强度、刚度和稳定性，应满足重力、电磁力和地震等要求。 5.3.2屏蔽包层支撑：直接固定在真空室上。连接件强度、刚度和稳定性应满足重力、地震等要求

内部设计有冷却回路和提氙回路。应满足支撑增殖包层的重量要求，同时还应满足热负载、电磁载 荷、中子辐照产生的各种损坏以及自身结构冷却等要求。

曾殖包层应有与遥操作部件匹配 于遥操作系统的维护

包层空间布局应合理有序，留有诊断系统合适的

6. 1.1 中子学要求

6.1.1.1实现氛的自持，增殖包层的氯增殖比应能满足氙自持的设计要求 6.1.1.2面对等离子体部件的包层第一壁材料厚度应满足中子物理要求。

0.1.1.1实现氟的自持，

6. 1. 2位形要求

增殖包层第一壁与等离子体位形最外层磁面保持的距离应满足物理设计

6. 1.3热负荷要求

道包层第一壁的设计应能够承受表面热负载和中

6.1.3.2包层系统冷却管道应带走产生的热量，使结构材料温度控制在合理的范围之内。 6.1.3.3包层系统的氙增殖球床在满足温度要求的基础上，应尽量提高温度，易于氯增殖小球中氙的 释放。

6. 1. 4 寿命要求

包层系统内部管道在高温、高压、高辐射环境下的设计寿命应大于或等于包层的维护周期。 包层系统结构材料的设计寿命应符合聚变装置不同运行模式下的寿命要求。

6.1.4.1包层系统内部管道在高温、高压、高辐射环境下的设计寿命应大于或等于

包层系统应集成有探测和评估真空室内氙存储量的功能，并在存储值接近氙的上限时有清除 内氛的方法和流程。 氙存储应满足氙泄漏率的要求， 应具备 泄漏的条件

DB34／T 3351-2019 桥梁塔柱大体积混凝土温度控制指南6. 1. 6 真空要求

1.6.1氛容器边界的脆弱位置（例如法兰，波纹管等）宜采用带有中间泄漏检测的双屏障；真 漏率、增殖包层的泄漏率应满足设计要求。 1.6.2氙容器的边界脆弱位置应具备在线监测真空泄漏的条件

6. 1. 7 电磁要求

6. 1. 8 材料要求

十应满足在等离子体瞬态工况下来自磁场和涡流

6.1.8.1材料选择应与高质量真空的获得和维持的要求相一致。材料应有它们对应服役条件（温度、 立力、中子损伤剂量等）下的完备特征的机械和力学性能。 6.1.8.2第一壁应采用低溅射熔点高的材料CJJ281T2018桥梁悬臂浇筑施工技术标准，减少杂质进入芯部等离子体。在面对等离子体位置应覆 盖有保护层材料。 6.1.8.3屏蔽包层结构应采用低中子活化材料，内部宜采用屏蔽材料