GB／T 39131-2020 标准规范下载简介

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溶液或熔体对流的晶体生长方法

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激光加热基座法laserheatingpedestalgrowthmethod 利用激光辐射被原料吸收产生的热量使多晶原料棒部分熔化，未熔化原料作为基体支撑熔体GB／T 10095.1-2022 圆柱齿轮 ISO齿面公差分级制 第1部分：齿面偏差的定义和允许值.pdf，熔体 和籽晶接触形成固/液界面，向上牵引籽晶进行晶体生长的方法。 4.1.11 冷世锅注caldcaaihlemethaod

利用激光辐射被原料吸收产生的热量使多晶原料棒部分熔化，未熔化原料作为基体支撑熔体，女 籽晶接触形成固/液界面，向上牵引籽晶进行晶体生长的方法。

加热原料中心形成熔区，原料外围有水冷系统，自然形成硬壳作为熔体埚，通过缓慢降温或移动 埚实现晶体生长的方法。 4.1.12 连续加料提拉法continuouschargingCzochralskimethod 提拉法生长晶体，按照晶体生长速度不断补充所消耗的原料，维持生长体系处于稳定状态的晶体生 长方法。 4.1.13 泡生法Kyropoulos method 将籽晶与熔体接触，以极缓慢的速度向上拉升，待熔体与晶种界面的凝固速率稳定后，籽晶便不再 拉升和旋转，逐渐降低熔体的温度，使晶体从上往下凝固成一整个单晶的方法。 4.1.14 气相外延vaporphaseepitaxy 将蒸汽状态的原料通过化学反应或冷凝沉积在衬底上，生长出具有特定方向晶体的方法。 4.1.15 区熔法zonemeltingmethod 移动多晶料棒或加热器，使熔区不断向低温区移动，结晶生长出晶体的方法。根据区熔方向的不同 分为水平区熔法和垂直区熔法。 4.1.16 热交换法heatexchangemethod 利用热交换器在晶体生长区内形成一个上热下冷的纵向温度梯度，增不做任何方向的移动，熔体 在埚内直接凝固成晶体的方法。 4.1.17 溶剂热法solvothermalmethod 以非水溶剂为溶剂，在高温高压的条件下利用溶解再结晶过程培养难溶晶体的方法。 4.1.18 溶剂挥发法solventevaporationmethod 借助溶剂挥发，使溶液达到一定的过饱和度，由过饱和溶液中生长晶体的方法。 4.1.19 溶液法solutionmethod 将原料溶解在溶剂中形成溶液，保持一定的过饱和度而生长晶体的方法。 4.1.20 水平区熔法 horizontal zonemeltingmethod 沿水平方向使原料棒与被加热形成的熔区相对移动，使熔区从原料棒一端向另一端缓慢移动，并慢 慢冷却，从而生长出晶体的方法。

加热原料中心形成熔区，原料外围有水冷系统，自然形成硬壳作为熔体，通过缓慢降温或 埚实现晶体生长的方法

泡生法Kyropoulosmethod

水热法hydrothermalmethod

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利用物质较大的正溶解度温度系数，逐渐降低温度，使溶液达到过饱和、溶质不断结晶，由 生长晶体的方法

在一定温度和压力条件下，靠溶剂水的不断蒸发，使溶液达到过饱和状态以析出晶体的方 4.1.24

提拉法Czochralskimethod

由丘克拉斯基(J.Czochralski)发明的生长方法。在一致熔融的熔体中，通过向上提拉籽晶实现 变的晶体生长方法

利用晶体界面上的二维结构相似性成核的原理，在单晶衬底上、按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺 注：外延层和晶体衬底是同一种材料的工艺称为同质外延。外延层和晶体衬底不是同一种材料的工艺称为异 外延。

助熔剂法fluxmethod

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对自由生长的晶体，晶体的最终外形应为面网密度最大的晶面所包围，晶面的法线方向生长速率反 比于网面间距，生长速率快的晶面族在最终的形态中消失 4.2.2 掺杂doping 晶体生长时有意地加入少量或微量的其他物质，使其固溶到晶体相中，以调节晶体的性能。 4.2.3 层错机制faultmismatchgrowthmechanism 面心立方晶体中，（111)生长面上层错与之相交，在生长面上形成不同高度的亚台阶（永不消失的台 阶源）而不断生长。 4.2.4 倒溶解度retrogradesolubility 在一定水热条件下，某些化合物的溶解度随温度升高而减小的反逆性溶解度。 4.2.5 多尺度结晶multiscalecrystallization 生长界面处溶液/熔体中晶体组成之间不同聚集态的能量分布诱导的结晶过程。 4.2.6 非均匀成核inhomogeneousnucleation 晶体生长过程中，在相界面上诸如外来质点、基底、容器壁或原有晶体表面形成晶核的现象。 4.2.7 非平衡晶体生长形态crystalmorphologyfarfromequilibriumstate 远离晶体生长平衡态的情况下，如果长成籽晶有不止一种形态时，具有较大质量沉积速率的形态是 稳定的。如果最大质量沉积速率形态不止一种时，微观生长动力学对形态选择有决定作用。 4.2.8

对自由生长的晶体，晶体的最终外形应为面网密度最大的晶面所包围，晶面的法线方向生长速率反 比于网面间距，生长速率快的晶面族在最终的形态中消失 4.2.2 掺杂doping 晶体生长时有意地加人少量或微量的其他物质，使其固溶到晶体相中，以调节晶体的性能。 4.2.3 层错机制faultmismatchgrowthmechanism 面心立方晶体中，（111)生长面上层错与之相交，在生长面上形成不同高度的亚台阶（永不消失的台 阶源）而不断生长。 4.2.4 倒溶解度retrogradesolubility 在一定水热条件下，某些化合物的溶解度随温度升高而减小的反逆性溶解度。 4.2.5 多尺度结晶multiscalecrystallization 生长界面处溶液/熔体中晶体组成之间不同聚集态的能量分布诱导的结晶过程。 4.2.6 非均匀成核inhomogeneousnucleation 晶体生长过程中，在相界面上诸如外来质点、基底、容器壁或原有晶体表面形成晶核的现象。 4.2.7 非平衡晶体生长形态crystalmorphologyfarfromequilibriumstate 远离晶体生长平衡态的情况下，如果长成籽晶有不止一种形态时，具有较大质量沉积速率的形态是 稳定的。如果最大质量沉积速率形态不止一种时，微观生长动力学对形态选择有决定作用。 428

分凝系数segregationcoefficient

从溶液或熔体中生长晶体时，当固、液（或熔体)两相平衡时，杂质组分在晶体中的溶解度与在灶 的溶解度比值

配位型复杂晶体生长过程中，生长基元往往是负离子配位多面体，其结晶方位与生长晶体形貌相 关。一般而言，多面体顶角相对晶族显露几率小，往往消失；多面体面对面面族显露面积大，往往顽强显 露：而棱相向的面族，显露几率居中

晶体在恒温和等容的条件下，某一晶面族的生长线速率正比于表面自由能，晶体总表面能最小日 态为晶体的平衡形态。

结晶生长的化学键合理论chemicalbondingtheoryof singlecrystalgrowth 利用“三相区”描述晶体生长过程，在过渡相区，结晶学结构和结晶环境共同决定生长界面处的 /分子排布，进一步决定化学键合模式。

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普兰托边界层理论Prandtlboundarylayertheory

晶面与位错相交，不处于以该位错的柏格斯矢量为轴的晶带中，不同位错线对晶体生长的贡献均 同，无论何种类型位错均为这类晶面提供了永不消失的台阶 4.2.20 溶解度solubility 在一定温度下，达到溶解平衡时，一定量的溶剂中含有溶质的质量。 4.2.21 溶解度的温度系数temperaturecoefficientof solubility 在一定压力下，物质在溶剂中溶解的变化量与温度变化量之比。 4.2.22 相 phase 体系的内在性质在物理和化学上都是均匀的部分。 4.2.23 相变phasetransition 当外界条件改变时，晶体从一种状态或结构转变为另一种状态或结构的过程。 4.2.24 相变驱动力drivingforceforphasetransition 根据热力学法则，当两相间吉布斯自由能不等时，存在着相变驱动力，相变向自由能降低的方

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进行。 4.2.25 相图phasediagram 表示多相体系中各种聚集态及其所处条件（温度、压力和组成等）关系的几何图形。 4.2.26 相平衡phase equilibrium 在一定的条件下，一个多相体系中各相的性质和数量均不随时间变化的状态。 4.2.27 相界面solid liquidinterface 在两相共存的系统中，不同相之间的交界面。 4228

周期键链理论periodicbondchaintheory

晶体结构中存在一系列周期性重复的强键链，其重复特征与晶体中质点的周期性重复相 周期键链。晶体平行键链生长，键强度最强的方向生长最快

利用工作气体电离形成等离子体的高温和等离子体中自由电子与正离子复合时释 加热的方式。 4.3.2 电阻加热resistanceheating 利用电流通过电阻体的热效应进行加热的方式 4.3.3 璃crucible 生长晶体时，熔化生长原料或盛放生长溶液而使用的直接接触容器。 4.3.4 感应加热 inductionheating 采用中频或高频交流电通人感应器产生感应电流进行加热的方式。 4.3.5 高压釜autoclave 用于高温高压下进行晶体生长的密闭压力容器 4.3.6 光聚焦加热lightfocusheating 用光学系统将光能聚焦，利用其所产生的高温进行加热的方式 4.3.7 红外加热infraredheating 用红外波段的电磁波进行加热的方式。 4.3.8 激光加热laserheating 利用高能量密度的激光进行加热的方式。 4.3.9 籽晶seedcrystal 具有和所需晶体相同晶向的小晶体，是生长晶体的种子

籽晶seedcrystal

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.1 包裹体inclusion 晶体生长过程中界面所捕获的夹杂物，由一相或多相物质组成，并与晶体具有相界限的封闭系统， 5.2 胞状组织cellularstructure 晶体生长过程中因组分过冷而在生长界面上呈现出显微结构形态类似蜂窝的界面特征。 5.3 各向异性anisotropy 沿晶体不同的结晶学方向具有不同的物理特性。 5.4 光损伤 optical damage 用光照射晶体引起晶体烧蚀、击穿、气化、开裂、局部熔融、折射率局部变化和透过率变化等结构破 坏或性能恶化的现象。 5.4.1 不可逆光损伤irreversibleopticaldamage 功率密度很高的光照射到晶体引起晶体性能改变，具有不可逆性。 5.4.2 可逆光损伤reversibleopticaldamage 光引起晶体的折射率发生局部变化而造成的光学不均匀性，通过适当处理可以将不均匀性消除，具 有可性。 5.5 光学均匀性opticalnonuniformity 光学晶体中折射率的不均匀性。 5.6 核心core 晶体生长过程中平行于固液界面的低指数晶面因生长速率快于其他晶面而形成的应力缺陷集中 区，发生于晶坏轴心附近位置称为核心。 注：发生于晶坏轴心到边缘之间位置称为侧心。发生于晶坏边缘附近位置称为边心。 5.7 间隙缺陷interstitialdefect 处于间隙位置上的原子或离子形成的缺陷。 5.8 解理cleavage 晶体受到外力作用时，沿某一结晶学方向破裂成一组互相平行的光滑平面的特性。 5.9 晶界grainboundary 结构相同而取向不同晶粒之间的界面。 5.10 空位void 晶体结构中晶格位质点缺失而形成的点缺陷。

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5.11 李晶twinnedcrystal 由两个互不平行的同种单晶按一定的对称关系而组成的规则连生晶体。 5.11.1 机械李晶mechanical twin 由外力使晶体发生形变所形成的李晶。 5.11.2 生长李晶 growthtwin 生长过程中形成的李晶。 5.12 缺陷defect 5ZC 偏离晶体结构周期排列的现象。 注：按延展程度可分成点缺陷、线缺陷和面缺陷，具体表现形式上有包裹体、色心、开裂、空洞、气泡等 5.13 色心colorcenter 能吸收可见光使原来透明的晶体出现颜色的点缺陷。 5.14 蚀坑etchpit 当晶体表面受到化学腐蚀剂或热作用时，位错或其他缺陷在晶体表面受腐蚀形成的小坑 5.15 填隙interstitial 质点处于晶体结构格位之间空隙位置上的点缺陷 5.16 生长条纹striation 晶体在垂直于生长方向所产生的层状不均匀性所呈现的条带状缺陷， 5.17 位错 dislocation 晶体内部原子沿某条直线方向呈现出的局部不规则排列。 5.18 位错密度dislocationdensity 单位体积晶体中所含位错线的总长度（cm/cm）。 注：通常用晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目（个/cm"）表示。 5.19 线缺陷lineardefect 晶体内部结构中沿着某条线（行列)方向上的周围局部范围内所产生的晶格缺陷。 5.20 小角晶界littleanglegrainboundary 晶体中相邻区域晶向差别小于1°的晶粒间界。 5.21 云雾cloudiness 由众多微细气泡或包裹体分布在晶体中形成的如同弥漫的云雾的缺陷

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6.23 裂纹crack 延伸到晶片或晶块表面的解理或断裂。 6.24 平面度flatness 晶体平面与理想平面的变动量。 6.25 粗糙度 roughness 在空间波长（或频率）限定的范围内，间距更小的表面织构的分量。 6.25.1 平均粗糙度 averageroughness 在求值长度内相对于中间线来说，表面轮廓高度偏差Z（z）的平均值，用Ra表示。 6.25.2 峭度kurtosis 在求值长度内，相对于中间线的表面轮廊高度偏差Z（α）的直方图，其锐度的测量，用Rku表示， 注：一个完整的随机表面将有一个高斯分布的直方图和Rku=3。 6.25.3 表面织构主方向lay 表面织构起主要作用的方向。 6.25.4 微粗糙度microroughness 在不规则物（空间波长）之间的间隔小于100um时的表面粗糙度分量。 6.25.5 峰到谷差peaktovalley 在一个求值长度L内，相对于中间线表面轮廓最高点至最低点的高度偏差Z（）值，用Rt表示， 6.25.6 均方根区域微粗糙度rmsareamicroroughness 在求值区域内（=Lx，Ly)(SEMIMI)，相对于中间面的表面形貌偏差Z（r）的均方根值，用Rg 表示。 6.25.7 均方根微粗糙度rmsmicroroughness 在取值长度L（SEMIMI)内，相对于中间线的表面剖面（轮廓）高度偏差Z（α）的均方根，用F 表示。 6.25.8 均方根斜率rmsslope 在求值长度内，轮廓偏差变化率的均方根值，用mq表示。 6.25.9 非对称性skewness 对于中心线，一个表面Z（，y）的表面形貌偏差的一种不对称性的测量，用Rsk表示。 注：一个完美的随机表面应有Rsk=0。 6.25.10 表面织构surfacetexture 直实表面与准表面的形貌偏差

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注：包括粗糙度、波纹和表面织构主方向。 6.25.11 十点粗糙度高度tenpointroughnessheight 在求值长度内，相对于中间线，5个最高轮廓峰高度的绝对值和5个轮廓谷深度的绝对值的平均 值，用R表示。 6.26 平行度 parallelism 晶体两个平面展开相交所形成锐角的度数为这两个晶面的平行度。 6.27 公差tolerance 产品规格范围内允许偏差的绝对值。 6.28 侧面垂直度 sideverticality 晶体的非通光面与通光面、非通光面之间的平面夹角与直角的绝对差值

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L1 GB/T14264一2009半导体材料术语 [2] 中国硅酸盐学会.硅酸盐辞典.北京：中国建筑工业出版社，1984. 张克从，张乐穗.晶体生长科学与技术.北京：科学出版社，1997. ［4] 江东亮，李龙土，欧阳世翁，施剑林.中国材料工程大典第9卷，无机非金属材料工程（下）.北 京：化学工业出版社，2006， 「5］吕茂珏.光学冷加工工艺手册.北京：机械工业出版社，1991.

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稀土晶体 3.18 线缺陷 5.19 4.2.22

稀王晶体 线缺陷 5.19 4.2.22

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相变 4.2.23 相变驱动力 4.2.24 相界面 4.2.27 相平衡 4.2.26 相图 4.2.25 小角晶界 5.20 Y 压电晶体 ....3.19 研磨 6.17 焰熔法 4.1.28 液封提拉法 4.1.29 液相外延 4.1.30 原晶 6.5 云雾 5.21 N

周期键链理论 4.2.28 助熔剂法 4.1.3 籽晶 4.3.9

birefringent crystal

birefringent crystal

defect dislocation 5.17 dislocation density 5.18 doping.. 4.2.2 driving force for phase transition 4.2.24

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kurtosis Kyropoulos method

yropoulos method

NB／T 35112-2018 水电工程层析成像技术规程GB/T 39131—2020

parallelism peakto valley 6.25.5 periodic bond chain theory 4.2.28 phase 4.2.22 phase diagram 4.2.25 phaseequilibrium .4.2.26 phasetransition 4.2.23 photorefractivecrystal 3.8 physical vapor transport method 4.1.27

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saw marks scintillation crystal 3.12 scratch 6.22.2 screw dislocation theory of crystal growth 4.2.16 seed crystal 4.3.9 segregation coefficient 4.2.8 semiconductor crystal 3. side verticality ... 6.28 single crystal 2.4 skewness 6.25.9 solid liquid interface 4.2.27 solubility 4.2.20 solution method 4.1.19 solvent evaporation method 4.1.18 solvothermalmethod 4. 1.17 spacegroup 2.10 striation 5.16 sublimation method 4.1.27 surface texture 6.25.10 surface imperfections 6.22 synthetic crystal

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temperature coefficient of solubility 4.2.21 ten point roughness height 6.25.11 tolerance ...6.27 top seeded solution growth method 4.1.4 fwingrowthmechanism 4.2.17 twinned crystal 5.11

DB11／T 1165.3-2017 收费公路联网收费系统 第3部分：收费系统介质技术要求与数据格式.pdftemperature coefficient of solubilit 4.2.21 ten point roughness height 6.25.11 ..6.27 top seeded solution growth method fwingrowthmechanism 4.2.17 twinned crystal 5.11

vaporphase epitaxy 4.1.14 Verneuil method 4.1.28 vertical zone melting method 4.1.6 void...... 5.10

zone melting method