标准规范下载简介
GB／T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片.pdfGB/T11094—2020 代替GB/T11094—2007
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizonta bridgmanmethod
GB／T 51345-2018 海绵城市建设评价标准国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会
GB/T 110942020
本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准代替GB/T11094一2007《水平法砷化镓单晶及切割片》。与GB/T11094一2007相比，除编 性修改外，主要技术变化如下： 删除了范围中的单晶锭及微波器件（见2007年版的第1章）； 删除了规范性引用文件中的GJB1927，增加了GB/T13388、GB/T14844（见第2章，2007年 版的第2章）； 删除了术语和定义中的3.1～3.8（见2007年版的第3章）； 修改了产品的牌号表示方法及分类（见第4章，2007年版的第4章）； 修改了神化镓单晶生长方向中的偏转角度（见5.1.1，2007年版的4.3.1）； 删除了半绝缘砷化镓单晶的要求及试验方法（见2007年版的4.3.2、4.4.3、5.1)； 删除n型非掺杂碑化镓单晶的要求（见2007年版的4.3.2）； 修改了p型掺锌砷化镓单晶的载流子浓度范围（见5.1.2，2007年版的4.3.2）； 修改了位错密度的分级及要求（见5.1.3，2007年版的4.3.3）； 增加了直径82.0mm砷化切割片及对应砷化镓单晶的要求（见5.1.4.2、5.2）； 晶锭高度误差不大于4mm改为单晶厚度变化应不大于2mm（见5.1.4.2，2007年版的4.4.1）： 增加了关于砷化镓切割片电学性能、位错密度的说明（见5.2.1）； 修改了砷化切割片厚度的要求（见5.2.3，2007年版的4.5.1）； 修改了砷化镓切割片晶向偏离的要求（见5.2.4，2007年版的4.5.2）； 修改了神化镓单晶及切割片的试验方法（见第6章，2007年版的第5章）； 修改了砷化镓单晶及切割片的检验规则相关内容（见第7章，2007年版的第6章）。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位：有研光电新材料有限责任公司、有色金属技术经济研究院、广东先导先进材料股 有限公司、北京聚睿众邦科技有限公司、雅波拓（福建）新材料有限公司。 本标准主要起草人：于洪国、林泉、马英俊、赵敬平、李素青、马远飞、李方朋、许所成、权盼、朱刘、 铁军、闫方亮、杨丽霞、付萍。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
GB/T110942020
水平法砷化镓单晶及切割片
本标准规定了水平法砷化单晶（以下简称砷化单晶）及切割片的牌号及分类、要求、试验方法 检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单（或合同）内容 本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样 计划 GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T8760 砷化单晶位错密度的测量方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844半导体材料牌号表示方法
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件
砷化镓单晶及切割片的牌号按照GB/T14844的规定进行表示。如有特殊要求，由供需双方 在订货单（或合同）中注明
4.2.1碑化镓单晶按导电类型分为n型和p型。
方工艺保证。如需其他生长方向的砷化单晶由供需双方协商确定
神化镓单晶的电学性能应符合表1的规定
镓单晶按位错密度分为2级，应符合表2的规定
5.1.4.1砷化镓单晶侧面如图1所示。砷化镓单晶截面为D形，一端或两端应按需方
4.1砷化镓单晶侧面如图1所示。砷化傢单晶截面为D形，一端或两端应按需方要求的晶面切 整的基准面，如图2所示
图1砷化家单晶侧面示意图
GB/T110942020
图2砷化镓单晶基准面示意图
合表3的规定。砷化镓单晶厚度应均匀 + z mm
DB36／T 1153-2019 公路水运工程混凝土用机制砂生产与应用技术规程化镓单晶表面不应有气孔、裂纹、明显的小坑和弯
砷化镓切割片的电学性能、位错密度应符合5.1.2、5.1.3的规定，由供方保证。如有特殊 需双方协商并在订货单（或合同）中注明
GB/T 11094—2020
砷化镓切割片的厚度为170um～650um，厚度的允许偏差为15um～30um。常见的切割片厚 许偏差为210μm±20μm、280μm±20μm、320μm±20μm、350μm±15μm420μm±15μm
砷化切割片的晶向偏离及其允许偏差应符合表4的规定。如有特殊要求DB35／T 1863-2019 城市轨道交通信号系统防雷装置检测技术规范，由供需双方协商并 货单（或合同）中注明
表4晶向偏离及允许偏差