标准规范下载简介
SJ 21553-2020 三维异构集成细间距微凸点制作工艺技术要求.pdfSJ215532020
本标准由中国电子科技集团有限公司提出。 本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。 本标准起草单位：中国电子科技集团公司第十四研究所。 本标准主要起草人：张、胡永芳、王从香、李浩、牛通、崔凯、邓晓燕、纪乐、周建华
a 操作人员应掌握光刻、电镀工艺相关的基础知识，并经过专业岗位技术培训，考核合格后预算数据手册，持 岗位资格证上岗； b） 操作人员应掌握常用危化品、环境保护和职业健康安全相关的基础知识，能应急解决工艺过程 中可能出现的问题； C 操作人员应了解相关管理制度，并自觉遵守人员着装和污染防控的各项规定； d) 操作人员应熟练掌握工艺设备和仪器的操作方法； e) 操作人员应严格按照工艺要求进行操作，并按规定的格式填写工艺记录； 检验人员应具备相应资质，并持证上岗。
环境温度：20℃~26℃
相对湿度：30%~70%
间洁净度应符合GB/T25915.12010中ISO6级规定
其他要求如下： a）细间距微凸点制作工艺中厚胶光刻工艺的全部工序应在黄光区域完成； 细间距微凸点制作工艺中电镀工艺的工作场所应整洁有序，有良好的照明及抽风条件 C）工作台面应保持干净，物料摆放有序、整齐，所用设备仪器应保持干净整洁。
4.3设备、仪器和工装
设备和仪器均应在有效期内使用，与工艺要求相适应，设备应定期进行检定与保养，仪器应定期进 行计量校准，常用设备和仪器见表1。
SJ215532020
三维异构集成细间距微凸点制作工艺的主料应为溅射UBM层后的三维异 三维异构基板表面的材料。其中溅射UBM层后的三维异构集成基板应符 a）基板表面沉积的适用的UBM层金属膜体系包括：Cr/Cu/Au、Al/NiV/C TiWN/Cu等 b 基板表面应光洁平整，无裂纹、划痕等缺陷，无碎屑等异物污染； 基板翘曲度不大于0.05mm/25mm； 基板表面粗糙度Ra不大于0.08μm； e) 基板应标注批次号； f) 基板应保存在片盒中，避免堆叠、摩擦； g) 基板存放与取用过程中，应保持基板平整无弯折，避免拉扯、挤压。 除基板外的主料要求见表3。
三维异构集成细间距微凸点制作工艺的主料应为溅射UBM层后的三维异构集成基板以及加工后保 在三维异构基板表面的材料。其中溅射UBM层后的三维异构集成基板应符合下列要求： a) 基板表面沉积的适用的UBM层金属膜体系包括：Cr/Cu/Au、AI/NiV/Cu、Ti/Cu、TiW/Cu、Ta/Cu、 TiWN/Cu等; 6) 基板表面应光洁平整，无裂纹、划痕等缺陷，无碎屑等异物污染； C) 基板翘曲度不大于0.05mm/25mm； d 基板表面粗糙度Ra不大于0.08μm； e 基板应标注批次号； f) 基板应保存在片盒中，避免堆叠、摩擦； 名 基板存放与取用过程中，应保持基板平整无弯折，避免拉扯、挤压。 除基板外的主料要求见表3。
SJ215532020
电镀液要求如下： a) 在配制电镀液前应充分清洗镀槽、加热管、阳极、循环过滤管路、滤芯等所有与镀液接触的物 品； b 按照电镀药水供应商的资料说明JT／T 1108.2-2017 公路路域植被恢复材料 第2部分：辅助材料，等比例地计算需要加入的金属主盐、基础液、开缸剂、添加 剂等物质，添加过程中应充分搅拌、溶解完全； C) 调整电镀溶液的pH值、成分、比重和温度等工艺参数至规定范围； d）配好的电镀液在使用前应通电并循环过滤2h以上。
设备和仪器的技术要求应符合4.3.1，按照设备操作规程进行设备检查及开机，确保水、电、 正常
确认适用于细间距微凸点制备工艺的相关夹具齐全。确保电镀夹具表面无锈渍、洁净、电接触良好； 确保清洗夹具无变形、洁净
a 按照工艺文件核对待制备细间距微凸点的三维异构集成基板的规格、数量、批次号等内容； b) 检查待制备细间距微凸点的三维异构集成基板的外观和表面状态应当符合4.4.1中的要求； C) 确认工艺要求使用的光刻胶类型、显影液类型，确认剩余量满足工艺使用并在使用有效期内； d）检查确认掩模板质量状态满足4.4.2的要求。
a）对于待制备细间距微凸点的三维异构集成基板GB 50437-2007 城镇老年人设施规划规范（2018年版）（完整正版、清晰无水印），表面涂胶采用旋转匀胶工艺进行； b）胶的厚度应大于待镀微凸点的总高度； c）旋转匀胶胶厚不均匀性：片内不均匀性和片间不均匀性优于±5%。
前烘工艺要求如下： a）根据使用的光刻胶选择合适的前烘温度和时间，曝光过程中光刻胶应与掩模板无粘连现象； b）采用热板进行前烘，厚紫外光刻胶的前烘温度范围为120℃～140℃，时间范围为3min～5min
a）根据所加工图形的精度要求选择相适应的接触式曝光模式。紫外曝光设备常用的四种曝光模式 及对应的极限分辨率为：接近模式，2μm～4μm；软接触模式，2μm；硬接触模式，1μm； 真空接触模式，0.8μm； b） 光刻后图形的尺寸公差符合GB/T1800.2—2009中IT8级精度要求或符合产品设计文件要求： c）光刻后图形的对准精度符合GB/T1184—1996中10级精度要求或符合产品设计文件要求。