标准规范下载简介
GB／T 20228-2021 砷化镓单晶.pdfICS29.045 CCS H 83
GB/T20228—2021 代替GB/T20228—2006
Gallium arsenide single crystal
DB51／T 1932-2014 煤炭工业矿井防雷检测技术规范.pdfGB/T202282021
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 草。 本文件代替GB/T20228一2006《砷化镓单晶》，与GB/T20228一2006相比，除结构调整和编辑性 动外，主要技术变化如下： 更改了标准的适用范围（见第1章，2006年版的第1章）； b） 增加了规范性引用文件GB/T13388（见第2章）： 删除了“术语和定义”中的单晶、晶锭的定义（见2006年版的第3章）； 删除了按生长方法的分类（见2006年版的4.1.2），增加了按直径的分类（见4.2.2）； e） 删除了单晶锭的表示方法（见2006年版的4.3）； 原文件中的“单晶”“单晶锭”统一为“砷化镓单晶”（见第5章，2006年版的第5章）； g 更改了尺寸的要求（见5.1，2006年版的5.3.2）； h） 更改了表面质量的要求（见5.2，2006年版的5.3.3）； 1） 更改了参考面的要求（见5.3，2006年版的5.3.1），并增加了试验方法、检验规则中相应的内容 （见6.3、第7章）； 增加了晶向偏离度的要求（见5.4）； 更改了非掺半绝缘砷化镓单晶的霍尔迁移率、电阻率的要求（见5.5，2006年版的5.1.2）； 1） 增加了截面电阻率不均匀性的要求（见5.5）及其计算方法（见6.5）； m）增加了掺C半绝缘砷化镓单晶的电学性能要求（见5.5）； n） 更改了位错密度的要求（见5.6，2006年版的5.2）； 0） 更改了组批、检验项目、取样、检验结果判定的内容（见7.2～7.4，2006年版的7.3～7.5）； P 更改了随行文件的内容（见8.5，2006年版的8.3）； q）增加了“订货单内容”（见第9章）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任， 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准 技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、有色金属技 经济研究院有限责任公司、广东先导先进材料股份有限公司、有研光电新材料有限责任公司、义乌力 新材料有限公司。 本文件主要起草人：惠峰、林作亮、普世坤、李素青、尹国文、陈维迪、周铁军、董汝昆、罗爱斌、林泉 英俊、宾启雄、皮坤林。 本文件于2006年首次发布，本次为第一次修订
GB/T202282021
本文件规定了碑化镓单晶的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订 货单内容。 本文件适用于液封直拉法（LEC）、垂直梯度凝固法（VGF）、垂直布里奇曼法（VB)生长的，用于制备 光电子、微电子等器件的砷化镓单晶，不适用于水平布里奇曼法（HB)生长的砷化镓单晶
下列文件中的内容通过文中的 余款。其中，注日期的号用 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于 本文件。 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T8760 砷化镓单晶位错密度的测试方法 GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法 SJ/T11488半绝缘砷化电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件
4.2.1砷化镓单晶按导电类型分为n型、P型和半绝缘型（SI型）。 4.2.2砷化镓单晶按直径分为50.8mm、76.2mm、100.0mm、150.0mm、200.0mm
.1滚圆砷化镓单晶的直径及允许偏差应符合表1的规定。超过表1所列的直径及允许偏差或对
他外形尺寸有要求，则由供需双方协商确定并在订货单中注明。
5.1.2未滚圆碑化单晶的直径及允许偏差由供需双方协商确定
化镓单晶表面应无李晶、裂纹、夹杂、凹坑、微孔、崩
5.4晶向及晶向偏离度
砷化镓单晶的晶向及晶向偏离度为<111》士0.5°、<100》士0.5°，如需特殊的晶向由供需双方协商 并在订货单中注明
砷化镓单晶的电学性能（包括导电类型、载流子浓度、霍尔迁移率、电阻率、截面电阻率不均匀性)应 符合表2的规定。
SI型砷化镓单晶的电学性能为退火后的指标值
砷化镓单晶的位错密度等级及要求应符合表3的规定。如对位错密度有特殊要求，由供需双方
商确定并在订货单中注明
商确定并在订货单中注明
GB/T202282021
GB／T 10066.11-2016 电热装置的试验方法 第11部分：埋弧炉.pdf砷化镓单晶的直径用分度值为0.02mm的游标卡尺测量
砷化镓单晶的表面质量目视检查。
砷化镓单晶的参考面、切口取向按GB/T13388规定的方法测试，参考面、切口尺寸用相 量具测量。如有其他要求由供需双方协商确定
6.4晶向及晶向偏离度
化镓单品的品向及品向偏离度按GB/T1555规定
5.2SI型砷化单晶的导电类型、霍尔迁移率、电阻率按SI/T11488的规定进行测定 5.3截面电阻率不均匀性根据电阻率测试结果按公式（1）、公式（2)进行计算，电阻率测试点在砷化 单晶截面沿直径方向均匀取5点，即中心取1点，左右各取2点XJJ 056-2019 住宅物业服务标准.pdf，如图1所示。 砷化镓单晶平均电阻率按公式（1）计算
单晶截面沿直径方向均匀取5点，即中心取1点，左右各取2点，如图1所示。 砷化单晶平均电阻率按公式（1)计算：
平均电阻率，单位为欧姆厘米（Q·cm）； 第i个测量点电阻率，单位为欧姆厘米（Q·cm）； 测试点数目，i=15。 截面电阻率不均勾性按公式（2)计算