GB/T 8750-2022 半导体封装用金基键合丝、带.pdf

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标准类别:电力标准
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GB/T 8750-2022 半导体封装用金基键合丝、带.pdf

ICS 77.150.99 CCS H68

国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会

附录E(规范性)金带宽度检验方法 附录F(规范性)产品长度检验方法·· 21 附录G(规范性)产品表面质量检验方法 L2 附录H(规范性)产品卷曲及轴向扭曲检验方法· 23 附录1(规范性)产品放线性能检验方法

附录A (资料性) 金基键合丝弧高测试方法

A.2.2将测量显微镜十字线中心对准第一点焊球的圆心,调整焦距,使得聚焦点在芯片的铝层上,这时 将Z轴坐标归零。 A.2.3再次调整焦距,聚焦于线弧最高处,读取Z轴数值即弧高H

图B.3显微镜13倍视野下密集点状缺陷图 B.5 划痕:由于镊子、指甲、轴盒等接触产品而造成的伤痕,如图B.4圈内较深亮带所示。

昆山巴比伦花园物业管理工程施工组织设计图B.3显微镜13倍视野下密集点状缺陷图

图B.4显微镜13倍视野下指划伤缺陷图

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