DB61／T 511-2011标准规范下载简介
DB61／T 511-2011 太阳电池用单晶硅棒检验规则ICS27.160 F12
DB 61/ T 5112
中建一局集团营地建造图册陕西省质量技术监督局 发布
本标准参考GB/T12962一2005《硅单晶》，结合国内外光伏产业现状及发展趋势制定。 本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。 本标准由陕西省工业和信息化厅归口。 本标准由陕西电子信息集团有限公司、陕西电子信息集团西京电子科技有限公司、中电投西安太阳 能电力有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、陕西华山半导体材料有限责任公司共同负责起草。 本标准主要起草人：牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、张旭、孙武、吕喜臣、赵可武 张超。 本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。 本标准为首次发布。
本标准参考GB/T12962一2005《硅单晶》，结合国内外光伏产业现状及发展趋势制定。 本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。 本标准由陕西省工业和信息化厅归口。 本标准由陕西电子信息集团有限公司、陕西电子信息集团西京电子科技有限公司、中电投西安太阳 能电力有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、陕西华山半导体材料有限责任公司共同负责起草。 本标准主要起草人：牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、张旭、孙武、吕喜臣、赵可武 张超。 本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。 本标准为首次发布。
太阳电池用单晶硅棒检验规则
本标准规定了太阳电池用单晶硅棒的技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于太阳电池用单晶硅棒的检验
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12963硅多晶 SEMIMF1535一2007微波反射无接触光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法
下列术语和定义适用于本文件
术语和定义适用于本文作
原材料应符合GB/T12963
单晶硅圆棒表面应光滑，无缺口、裂纹、划痕
表1单晶硅圆棒直径及偏差
晶硅方棒的断面物理尺寸应符合图1、表2的规定
图1单晶硅方棒的断面物理尺寸
表2单晶硅方棒的断面物理尺寸（字母对应
晶硅方棒的断面物理尺寸（字母对应图1所示）
表3单晶硅棒电性能参数
单晶硅棒晶体完整性是由晶体位错密度指标所反应，其位错密度应不大于3000个/平方厘米。
单晶硅棒的氧含量应不大于1.2×10°atom/cm
DB32／T 4031-2021 建筑垃圾路基填筑设计施工技术规范.pdf圭棒的氧含量应不大于1.2×10atom/cm。
单晶硅棒的碳含量应不大于5×10atom/cm。
圭棒原材料测试按GB/T12963规定的方法进行。
圭棒的外观目测，断面的缺口用游标卡尺（精度
长度、直径、边长及弦长用游标卡尺（精度0.1mm）测量，相邻面垂直度用直角尺或标准角度模板 测量。
单晶硅棒的导电类型测试按GB/T1550中热探针法一热电势导电类型测试方法进行。
GB／T 40338-2021 金属和合金的腐蚀 铝合金剥落腐蚀试验.pdf晶硅棒的电阻率测试按GB/T1551中直排四探针
单晶硅棒的径向电阻率变化测试按GB/T11073规定的方法进行