DB65/T 3486-2013标准规范下载简介
DB65/T 3486-2013 太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法.pdfICS29.045 H 80
DB65/T34862013
太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法
JTG/T 5640-2020标准下载新疆维吾尔自直治区质量技术监督局 发布
DB65/T34862013
前言 范围 规范性引用文件 术语和定义 方法提要 干扰因素 测量仪器 试样要求, 3 测量环境 仪器校准 10测量程序 11测量系统精密度 12试验报告 附录A(资料性附录) 硅块常见缺陷的定义和类型
前言 范围 规范性引用文件 术语和定义 方法提要 干扰因素 测量仪器 试样要求, 3 测量环境 仪器校准 10测量程序 11测量系统精密度 12试验报告 附录A(资料性附录) 硅块常见缺陷的定义和类型
DB65/T34862013
本标准由特变电工新疆新能源股份有限公司提出。 标准由新疆维吾尔自治区机械电子工业行业管理办公室归口。 本标准由特变电工新疆新能源股份有限公司、新疆维吾尔自治区标准化研究院负责起草。 本标准主要起草人:丁宝林、熊金杰、许琴、咎武、哈丽旦·艾比布拉、胡小明。 本标准为首次发布。
本标准由特变电工新疆新能源股份有限公司提出。 本标准由新疆维吾尔自治区机械电子工业行业管理办公室归口。 本标准由特变电工新疆新能源股份有限公司、新疆维吾尔自治区标准化研究院负责起草。 本标准主要起草人:丁宝林、熊金杰、许琴、武、哈丽旦·艾比布拉、胡小明。 本标准为首次发布。
DB65/T34862013
太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法
本标准规定了硅块内部晶体缺陷的红外探伤检测方法。 本标准适用于电阻率在0.8Q·cm以上,最大尺寸宜为400mm×210mm×210mm的硅块内部晶体缺陷检 测。
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T14264半导体材料术语 GB/T29054太阳能级铸造多晶硅块
DB65/T3486—2013 3.5 重复性Repeatability 重复性是用本方法在正常和正确操作情况下,由同一操作人员,在同一实验室内,使用同一仪 器,并在短期内,对相同试样所作多个单次测试结果,在95%概率水平两个独立测试结果的最大差值。 3.6 再现性Reproducibility 在改变了的测量条件下,对同一被测量的测量结果之间的一致性,称为测量结果的再现性。再现 性又称为复现性、重现性。
DB65/T34862013
主改变了的测量条件下,对同一被测量的测量结果之间的一致性,称为测量结果的再现性。再理 你为复现性、重现性。
通过红外光学系统、红外探测器及电子处理系统,利用硅块内部微粒、杂质、隐裂等物质将吸收 外光,使物体表面的红外辐射亮度的二维空间发生变化,从而转变成以灰度或伪彩色显示的可见
红外光源必须和相机处于同一轴线上
硅块表面不应有沾污。
硅块电阻率宜大于0.82·cm。
硅块电阻率宜大于0.82:cm。
素横向宜为1024Pixel以上,最小像素点25um.
在硅块检测过程中DB34/T 3588-2020 桥梁波形钢腹板预应力混凝土箱梁施工技术规程.pdf,红外光源强度应充足
DB65/T34862013
试验样品表面干净、干燥、无异物。
8.1温度:15℃~35℃,温度变化<1℃/h。 8.2湿度:<65%RH。 8.3洁净度:9级洁净室或以上。
9.1将标准样品置于承载装置上,设备初始化。 9.2对标准样品进行测试,将测试结果与标准样品数值进行对比。 9.3调整红外光强度,使得测试图像与标准图像一致,偏差在5%以内。 9.4测试不同类型、规格的硅块时,应对相应的程序进行预设。 9.5保存所有校准数据及文件。
10.1将待测硅块置于承载装置上。 10.2根据样品尺寸和类型,选取对应的校准文件和数据库文件。 10.3成像系统对硅块进行成像。 10.4图像处理系统分析、处理获取的硅块图像。 10.5计算机系统保存并输出测试结果。
分别选取多晶硅块10个,将所选样品按照同一方向、同一顺序,由有经验的操作人员在实验至进行 三次重复测试,要求测试结果的GRR<10%。
沂,具有较好的准确性DB12/T 991-2020标准下载,可以达到测量系统要求的重复性与再现性。