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QX／T 10.1-2018 电涌保护器 第1部分：性能要求和试验方法.pdf

图H.4鞍形接线端子示例

接线片式接线端子：是一种利用螺钉或螺母压紧电缆接线片或接线杆的螺钉接线端子或螺栓接线端子。 A一一弹簧垫圈； B一一电缆接块或接杆； E一固定部件； F螺栓。

图H.5接线片式接线端子示例

a间接施加压力的非螺钉型接线端子

溢洪道施工组织设计3b）直接施加压力的非螺钉型接线端

c带调节机构的非螺钉型接线端子

图H.6非螺钉型接线端子示例

H.6非螺钉型接线端

QX/T10.1—2018附录I（规范性附录）连接至光伏系统直流侧的SPD的试验电源特性I.1通用电源特性试验电路的电感量应为100uH+10%。通用电源的I/U特性曲线见图I.1。模拟光伏电源线性直流电源模拟光伏电源线性直流电源图I.1I/U特性模拟光伏电源的允差由P1和P2之间的阴影区域定义，P1、P的坐标特性为：Pi : [UTest,1. 05XITest];P2:[0.7XUTest,0.7XITest]。该区域可根据SPD制造商的协定趋向更高的电压或者电流值应在100μs内的静态和动态条件下确认以上要求。附录J给出了相应的试验程序，用以确认是否符合这一要求。I.2动作负载试验的电源特性根据不同的SPD续流，以下电压为Ucpv的电源应被应用于试验，见表I.1。表I.1动作负载试验的特殊电源特性通过附录K确定的续流值≤5A>5 A6.3.2.2.3.3c)动作负载试验DCi或PV,PV.6.3.2.2.3.3d）I类试验的动作负载附加试验DC或PV:DC或PV;DC:：线性直流电源，其阻抗应满足：在续流流过时，从SPD的接线端子处测量的电压降不能超过UcPv的5%。DCz：线性直流电源，其预期短路电流值至少为5A，对应于图1.1b)中的ITet。PV：模拟光伏电源，其预期短路电流值至少为20A，对应于图I.1a)中的ITat。PV2：模拟光伏电源，其预期短路电流值等于IscPv，对应于图1.1a)中的ITet。PV:模拟光伏电源，其预期短路电流值至少为5A，对应于图I.1a)中的ITex。113

L.3过载特性试验的特殊电源特性

根据不同的SPD设计，试验应采用电压为Ucpv/1.2的电源，见表1.2

表I.2过载特性试验的特殊电源特性

附录J （资料性附录） 图I.1a)中PV试验电源的瞬态特性

为了确保在动作负载试验和过载特性试验中使用的PV电源给出可比较的结果，有必要找到一个 对试验电源的特性精确定义的过程。 PV电源的暂态i/u特性取决于关断时间toFF，并和具有相同Uoc和Isc的线性电源的关断时间 不同。 注：此处U特指线性电源的开路电压，Is特指线性电源的短路电流

用半导体开关确定PV试验电源瞬态特性的试验

图J.1展示了用于确定PV试验电源瞬态特性的

图J.1使用可调半导体开关的用于确定PV试验电源瞬态特性的试验装置

图J.2在Is=4A.Uc=640V的PV电源下半导体开关关断过程的电压和电流特性曲线

将测量得到的i(t)和u(t)曲线按比例放大到100%，可得到归一化的、和Uα与Isc无关的关断曲线 (图1.3)，

图J.3含交汇点i(t)/u(t)的半导体开关分断特性曲线（归一化）

在按比例放大的i（t)和u(t)线之间的交汇点应等于或大于70%。 对于关断时间toFr大于50μs，计算的PV试验电源的i/u特性应对应于PV试验电源的静态特性 i=f(u)(图L I. 4),

图J.4从归一化电流和电压记录中计算得到的PV试验电源的i/u特性

I.3使用熔断器的替代试验设置

作为图J.1试验设置的代替，图J.5中的试验电路使用额定电流为0.1XIscPv的熔断器（PV类 角定PV试验电源的特性，图J.6是含交汇点i（t)/u(t)的PV电源的额定电流为0.1XIscpv的熔断 乍时的归一化分断特性

图J.5使用熔断器（PV类型）来确定PV试验电源特性的试验设置

图 J.6含交汇点 i(0)/u(0)的PV电源的额定电流为 0. 1XIse的熔断器动作时的归一化分断特性

比例放大的i（t)和u(t)曲线之间的交汇点应等于或大于70%。对于关断时间toFr大于50μs 试验电源的i/u特性应对应于PV试验电源的静态特性i=f(u)（图J.7)。

化电流和电压记录中计算得到的PV试验电源

附录K （规范性附录） 金属屏栅的试验布置

说明： d金属屏栅和SPD的距离

附录K (规范性附录） 金属屏栅的试验布置

图K.1金属屏栅的试验布置图

该试验应由制造商进行，用以提供7.1d）1)和/或7.1d）2)要求的信息

L,2确定是否存在开关型(Crowbar型）元件的试验

附录L （规范性附录） 确定是否存在开关型元件和续流大小的试验

只有当不知道SPD的内部设计时，才应进行这项试验。仅对这项试验，应使用一个新的试品。 SPD的I类试验和Ⅱ类试验，采用8/20μs标准冲击电流，幅值为制造厂规定的I。或Iimp。SPD的 Ⅱ类试验，采用复合波发生器，开路电压等于制造厂规定的Uα， 对SPD施加一次冲击（如果是二端口SPD，应对它的输人和输出接线端子施加冲击）。 应记录SPD上的电压波形图（如果是二端口SPD，应测量SPD输入接线端子间的电压）。 如果记录的电压波形显示出突然下降，则认为SPD包含开关（crowbar)元件

L.3确定续流大小的试验

M.1UV辐射的加速老化试验

附录M （规范性附录） 户外型SPD的环境试验

本试验根据标准GB11032一2010中的图11进行。试品应保持浸泡在容器中42h，容器盛有含有 浓度为1kg/mNaCl的沸腾的去离子水， 注1：上述水的特性应在试验开始时测量。 注2：当制造商声明密封系统的材料不能耐受沸水温度长达42h，试验温度（沸水）可降低至80℃（最少持续时间 168h，如1周）。 在沸腾结束时，试品应保持在容器中直到水温冷却到大约20℃（土15℃），并应保持在水中直到进 行完验证试验。水浸试验结束后，试品应接受绝缘试验（M.3）

试品应接受1min的1000V工频交流电压加两倍参考试验电压UREr或最天持续工作电压Ucp (Ucpv仅适用于连接至光伏系统直流侧的SPD)的绝缘试验，并测量泄漏电流。试验电压根据以下方法 施加： 具有金属外壳的SPD，含有或不含有安装支架：电压应施加在连接在一起的所有端子或外部引 线和金属外壳之间。外部导线不经过内部连接（既不直接也不经过电涌保护元件）连接到外 壳。如果所有的端子和外部引线直接或通过元件连接到导电外壳，则不需进行本试验。 b） 具有非导电外壳的SPD，含有非导电支架或不含有支架：非导电外壳应紧紧包裹在导电金属 箔内，距离任何非绝缘的引线或端子的15mm内。电压应施加在导电金属箔和连接在一起的 所有端子或外部引线之间。 具有非导电外壳和导电支架的SPD：非导电外壳应紧紧包裹在导电金属箔内，距离任何非绝缘 的引线，端子和金属安装支架的15mm内。电压应施加在导电金属箔和连接在一起的所有端 子，外部引线和安装支架之间， 注：绝缘试验的目的是确定在喷水和水浸试验中是否产生了可导致试品吸取导电性的液体的空隙

合格判别标准：试验过程中测量得到的泄漏电流不应超过25mA

试验应根据标准GB/T2423.22一2012进行下限温度为一40℃，上限为100℃的五个循环试验。 半个循环的持续时间为3h，温度变化时间应控制在30s内。 合格判别标准：在试验过程中和试验结束后，通过直观检查看看试品有无空隙、裂痕、起痕和表面腐 蚀。残流不应超过10%。应评估起痕、表面腐蚀和裂痕的程度，以确定这些情况是否会危害产品的外 壳，从而满足本部分中其他电气和机械性能的要求

附录0 （资料性附录） 连接至光伏系统直流侧的SPD的连接结构和过载特性试验的试品准备

I型结构见图0.1。 注：每个灰色阴影矩形代表一个或多个元件的串联或并联，下同。

I型结构见图0.1。 注：每个灰色阴影矩形代表一个或多个元件的串联或并联，下同

图O.2I型结构SPD过载特性试验的试品准备

U型结构SPD过载特性试验的试品准备见图O.4

图O.4U型结构SPD过载特性试验的试品准

图O.6L型结构SPD过载特性试验的试品准

结构SPD过载特性试验的试品准备见图O.8

Y型结构SPD过载特性试验的试品准备见图

型结构SPD过载特性试验的试品准备见图O.10

图0.8A型结构SPD过载特性试验的试品准

图O.10Y型结构SPD过载特性试验的试品准备

O.6单一模块SPD连接成的Y型结构

单一模块SPD连接成的Y型结构见图O.11

0.7基于连接结构的试验应用

基于连接结构的试验应用见表0.1

图O.11单一模块SPD连接成的Y型结构

表0.1基于连接结构的试验应用

试验程序与制造商在SPD安装说明中用于低压配电系统型式及保护模式有关，见表P.1

U。：在TN或TT系统中，标称交流线对地电压的有效值；在IT系统中，相线和中性线或中点线之间的标称交流 电压，视情况而定（参见GB16895.10一2010中442.1.2）。 1.32X：当电压波动不超过10%时，UEF=1.1XU。（参见GB16895.10一2010中442.5）， 注：由于在某些国家的电压波动超过10%，本部分中的UREr适用于普通情况。电压波动的进一步信息可见GB/T 1562007

路基特殊处理施工方案及技术措施中高压系统故障引起TOV下低压配电系统SPD试验的可选电路见图Q.1和图Q.2

图Q.1用于中高压系统故障引起TOV下SPD试验的三相电路的范例

中高压系统故障引起TOV下SPD试验的单相电

连接至低压电气系统和光伏系统直流侧的SPD的温升限值 低压电气系统SPD的温升限值见表R.1。

低压电气系统SPD的温升限值见表R.1.

连接至低压电气系统和光伏系统直流侧的SPD白

.1低压电气系统SPD的温升限值

常规的开关设备和控制设备； 电子部件（如镇流器电桥，印刷电路版）： 设备的一部分（如调压器，电源稳压单元，运算放大器）， 在安装条件下使用或测试的SPD可能有连接、类型、性质和配置将与测试所采用的不同，并可能导致终端的温 升不同。当内部元器件的端子也是外部经过绝缘处理的导体的端子，因采用对应的温升限值的较低值 手动部件指只有被打开之后才可以触及的SPD的内部某基坑支护、土方开挖项施工方案-secret，例如不经常操作的拉出式手柄，在这些温升限值上可 以允许有25℃的提高。 除非有其他的指定，对于可以被接触到但是在正常使用下无需被触摸的盖子和外壳，在温升限值上允许有 10℃的提高。 在设备方面（如电子装置）允许有灵活度，它们的温升限值不同于开关设备和控制设备 f对于根据6.3.6.1.2进行的温升试验，温升限值应该由制造商指定。 如果其他的判据都满足，裸露的铜汇流排和导体不能超过105K的最大温升，因为温升超过105℃的温度有可 能令铜出现退火，