JB／T 7626-2013 标准规范下载简介
JB／T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法.pdf7.5.2.1基本电路
7.5.2.1.1原理电路和波形
电路如图39所示GB／T 40401-2021 骨架密度的测量 气体体积置换法.pdf，试验电流和电压波形如图40
7.5.2.1.2电路说明和要求
电感器L和电容器C构成的谐振电路决定正弦半波通态电流脉冲持续时间t和幅值ITRM，5 （36）和式（37）计算：
p=/LC (36) ITRM =VDRM'L /C, (37)
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式中，VDRM等于电容器C，两端的电压峰值，可高达直流电源电压的10倍，这取决于电路元件。应注 意不要超过VDRM的规定值。
低阻抗直流电源；M、M2 示波器；R，和C4
拖加反向电压时，快开关晶闸管正弦半波通态电
加反向电压时，快开关晶闸管正弦半波通态电
电感器L2和电容器C构成的谐振电路以及电阻器R,和电容器C4决定再加断态电压上升率。 可能的最短维持关断间隔tH（min)由式（38）计算：
7.5.2.2扩展电路
7.5.2.2.1原理电路
原理电路如图41所示。
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7.5.2.2.2电路说明和要求
施加反向电压时，快开关晶闸管正弦半波通态电
试验电流和电压波形和要求与7.5.2.1的基本电
“H(min) =C,
由于增加了电容器C2和C3、二极管VD,和VD2、电感器L3以及晶闸管VT2，试验电路更灵活， 能获得较高的dv/dt，从而可试验具有较短关断时间的晶闸管。电容器C和C2的电容量至少为C3电容 量的10倍。VD，和VDz的作用是消除C,对Cz和C3的影响。 直流电源G通过晶闸管VT和VT2对电容器C1、C2和C3充电。触发受试器件VT，C,和C3通过 L和VT放电，产生正弦半波电流并反向再充电。经过适当的时间后，触发VT2，由于电荷从C2转移 到C3（C2>>Cs），便引起VT两端的电压从负电位向正电位变化。调整该时间，以得到要求的维持关 断间隔t。在下一个试验周期，触发VT1，G再次对CI、C2和C3充电。重复试验周期，使C1、C2和 C3两端的电压达到要求的值（约为直流电源电压的10倍）。
7.5.2.2.3试验程序
试验程序如下： 设定基准点温度为规定值； 调整受试器件VT和晶闸管VT1的触发时间，得到规定的重复率f和维持关断间隔tH: 调整直流电源G，获得规定的通态电流 如果受试器件不能承受规定的断态重复峰值电压，则试验失败。
7.5.2.2.4规定条件
下述条件应在产品标准中具体规定： a）基准点温度（宜为降额曲线的拐点温度）； b）通态电流脉冲持续时间tp和幅值ITRM; c）通态电流脉冲重复率fo； d）开通前的断态电压：VpRMi
7.5.3抑制反向电压时的正弦半波通态电流
7.5.3.1基本电路
7.5.3.1.1原理电路和波形
原理电路如图42所示，试验电流和电压波形如
图43抑制反向电压时，快开关晶闸管 正弦半波通态电流试验电流和电压波形
7.5.3.1.2电路说明和要求
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感尽可能小，从而尽可能降低该电压。 电流波形的负的部分为流过二极管VD，的电流 电感器L和电容器C2构成的谐振电路决定正弦半波通态电流脉冲持续时间t,和幅值ITRM，分别日 （40)和式（41)计算
=/L,C2 TRM =VDRM/E/C,
（40） （41)）
式中，VDRM近似等于直流电源G的电压。 电阻器R，和电容器C决定再加断态电压上升率。 应调整电容器C,的量值，以得到要求的维持关断间隔，并符合式（42）和式（43）：
7.5.3.2扩展电路
7.5.3.2.1原理电路
原理电路如图44所示。
7.5.3.2.2电路说明和要求
除式（44）外，试验电流和电压波形和要求与7.5.3.1的基本电路相同
H(min) =/2C2
图44抑制反向电压时，快开关晶闸管正弦半波通态电流试验扩展电路
图44抑制反向电压时，快开关晶闸管
增加了电感器L2、晶闸管VT2和VT3，试验电路更灵活。受试器件VT与VT3同时触发。 流脉冲终点和触发VT?的时刻之间引入一个延迟时间，并引入电感器L，可使维持关断间隔
班的变化不依赖于电流脉冲持续时间tp。 推荐采用快开通二极管VD1，以减小受试器件的反向恢复耗散功率。
7.5.3.2.3试验程序
试验程序如下： 设定基准点温度为规定值； 调整受试器件VT和晶闸管VT，的触发时问，得到规定的重复率f和维持关断间隔tH； 调整直流电源G，获得规定的通态电流； 如果受试器件不能承受规定的断态重复峰值电压，则试验失败。
7.5.3.2.4规定条件
7.5.4施加反向电压时的梯形波通态电流
7.5.4.1原理电路和波形
施加反向电压时，快开关晶闸管梯形波通态电
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图46施加反向电压时，快开关晶闸管梯形波通态电流试验电流和电压波形
7.5.4.2电路说明和要
受试器件VT和晶闸管VT，交替导通电流。 电感器L保证电流恒定。电流脉冲宽度可通过调整VT 的导通时间改变，与重复率无关。通态电流上升率由电感器L，和L4决定，由式（45）近似计算：
电感器L1、L2和电容器C,决定维持关断间隔t，由式（46）计算：
VDRM /(L, + L4)
H= /(L + L2)C3
R和CI、R2和C2为保护晶闸管的阻尼网络。 试验开始时，触发晶闸管VT1，直流电源Vs通过电阻器R4对电容器C3充电至接近VDRM的高电压。 触发受试器件VT时，C3上的电荷使VT反向偏置，进而关断。然后，流过电感器L的电流对C3以相 反方向再次充电，直到触发VTi，VT被反向偏置，进而关断。随后，C3通过电感器L2和二极管VD2 充电，从而在VT的两端产生电压上升率dv/dt。 重复进行换相，电感器L1、L2和电容器C3构成的振荡回路产生的电压逐步升高，直至达到比直流 电源G的电压高得多的电压。此后，可断开直流电源Vs。近似有式（47）：
7.5.4.3试验程序
RM = ITRM V(L + L2)/C3
试验程序如下： 设定基准点温度为规定值； 触发晶闸管VT1，设定直流电源G，得到适当的低值电流； 调整受试器件VT和晶闸管VT,的触发时间，得到规定的重复率f和通态电流脉冲宽度tw; 触发受试器件VT，开始试验； 断开直流电源Vs，再次调整直流电源G，获得规定的通态电流； 如果受试器件不能承受规定的断态重复峰值电压，则试验失败。
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7.5.4.4规定条件
7.5.5抑制反向电压时的梯形波通态电流
7.5.5.1原理电路和波形
7.5.5.2电路说明和要求
直流电源G2的电压V2>直流电源Gi的电压V1，直流电源Gs的电压Vs=VDRM，且有式（48 （50）：
dv / dt = V, /(R,C2) di/dt = V2 /L
言号状态。然后，同时触发受试器件VT和品闸
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向电压时，快开关晶闸管梯形波通态电流试验目
7.5.5.3试验程序
试验程序如下： 设定基准点温度为规定值： 接通门极电路； 调整G1，得到适当的低值电流，脉冲宽度由VT2的触发时刻决定； 调整G3，设定再加断态电压幅值，电压上升率dv/dt由R和C2决定； 设定维持关断问隔t为受试器件规定的关断时间最大值，调整通态电流和重复率为规定值： 如果受试器件不能承受规定的断态重复峰值电压，则试验失败
7.5.5.4规定条件
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7.6通态电流临界上升率（di/dt）
在规定条件下，检验晶闸管的通态电流临界上升率额定值
原理电路如图49所示。
7.6.3电路说明和要求
图49通态电流临界上升率试验原理电路
为获得要求的通态电流临界上升率，电阻器R2、电感器L和电容器C的量值与电压VDM、通 峰值ITM和时间t的近似关系应满足式（51）～式（53）：
式中： VDM——断态峰值电压。 ti的定义如图50所示。
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图50阻尼正弦波通态电流临界上升率波形
电阻器R2衰减振荡波形。对于大电流器件情况，R2只能由电路元件的分布电阻构成，假设这时可 忽略R2，则电感器L和电容器C的量值与电压VDM、通态电流峰值ITM和时间t的近似关系满足式（54） 和式（55）：
电阻器R，和二极管VD，的选择应便电容器C在每次动作前完全充电。 二极管VD2抑制谐振效应可能产生的过高的反向电压。如果采用正弦波形作为通态电流波形，这 尤其重要。 R'和C＇按受试器件的应用情况选择。适当时，可省略。 对L和C进行最后调整，确保由电压表V2测得的通态峰值电流和示波器测得的通态电流上升率di/d 达到规定值。 通态电流脉冲重复率由门极触发源控制，且应避免在交流电压源负半周期产生门极触发脉冲。 推荐采用阻尼正弦波形作为通态电流波形（见图50。波形的时间零点由连接0.1ITM和0.5ITM两点 的直线与时间轴的交点确定）。采用这种波形时，di/dt由式（56）确定：
试验程序如下： 交流电压源设定为零（应确保电容器C完全放电）； 设定基准点温度为规定值； 调整电源电压，使电容器C完全充电后，电压表V1显示规定的断态电压峰值： 触发受试器件，电容器C通过L向受试器件放电： 由试验后的测量验证受试器件承受额定通态电流临界上升率的能力。
下述条件应在产品标准中具体规定： a）施加通态电流前的结温：通态电流峰值下允许的最高温度； b）通态电流波形； c）通态电流峰值ITM（应不小于IT(Av)); d）通态电流临界上升率di/dt：
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e）通态电流脉冲重复率和脉冲数； g）门极触发源特性； h）试验持续时间（应大于器件的热时间常数）； i）试验后的测量参数和限值。
7.7门极平均功率（PG(Am）
在规定条件下，检验晶闸管的门极平均功率额定值
原理电路如图51所示。
图51门极平均功率试验电路
试验程序如下： 设定受试器件温度为规定值。 缓慢调整直流电源G的输出，使电流表A和电压表V指示值的乘积达到额定门极平均功率 PG(AV)，并保持规定的时间。 调整直流电源G的输出为零。 试验后，按5.6测量门极触发电流和门极触发电压。如无异常，则门极平均功率额定值得到确认
下述条件应在产品标准中具体规定： a）结温； b）门极平均功率； c）试验持续时间； d）主电路条件：阳极和阴极间开路； e）试验后的测量参数和限值。
7.8门极正向峰值功率、门极正向峰值电流和门极正向峰值电压（PcM、InGM和VnGM
吸正向峰值功率、门极正向峰值电流和门极正向峰值电压（PGM、IrGM和VnGM
在规定条件下，检验晶闸管的门极正向额定值（门极正向峰值功率、门极正向峰值电流和门极正向
原理电路如图52所示。
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图52门极正向额定值试验电路
试验前，应明确进行哪项额定值试验。试验程序如下： 设定受试器件温度为规定值。 在受试器件门极和阴极间施加门极触发脉冲（应注意不要超过门极平均功率额定值），在示波 器上观察门极伏安特性曲线（见图53）。 调整脉冲电源G，缓慢增加触发信号。当门极伏安特性曲线与额定门极正向峰值电流IFGM、额 定门极正向峰值电压VFGM和额定门极峰值功率PGM任一限值线相交（图53中的曲线1、2和 3），保持相交时的触发信号并持续规定的时间。 调整脉冲电源输出为零。 试验后，按5.6测量门极触发电流和门极触发电压。如无异常，则门极正向额定值得到确认。
下述条件应在产品标准中具体规定： a）结温； b）门极脉冲波形（推荐为方波）；
下述条件应在产品标准中具体规定： a）结温； b）门极脉冲波形（推荐为方波）：
图53门极正向额定值示意图
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c）门极脉冲幅值：不超过 对应的门极平均功率额定值： d）门极脉冲宽度； e）门极脉冲重复率； f）试验持续时间； g）主电路条件：阳极和阴极间开路； h）试验后的测量参数和限值。
7.9门极反向峰值电压（VRGM）
在规定条件下，检验晶闸管的门极反向峰值电压额定值。
原理电路如图54所示。
图54门极反向峰值电压试验电路
试验程序如下： 设定受试器件温度为规定值； 缓慢调整电源G的输出，在示波器上观察门极伏安特性曲线。受试器件的门极反向峰值电压 达到额定值时，保持规定的时间； 调整电源G输出为零； 试验后，按5.3.4、5.2和5.6测量断态和反向峰值电流、门极触发电流和门极触发电压。如无 异常，则门极反向峰值电压额定值得到确认。
下述条件应在产品标准中具体规定： a）结温； b）门极反向电压波形和幅值； c）试验持续时间； d）主电路条件：阳极和阴极问开路； e）试验后的测量参数和限值。
7.10管壳不破裂峰值电流
在规定条件下，检验晶闸管的管壳不破裂峰值电流额定值
本方法适用于通态平均电流1000A及以上的晶闸管
原理电路和试验电流波形如图55和图56所示
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7.10.3试前处理和初始测量
图55管壳不破裂峰值电流的试验电路
图56通过受试器件的反向电流波形
7.10.5试验后测量
下述条件应在产品标准中具体规定： a）结温（优先采用25℃）； b）试验电流值IRM; c）试验电流上升率（优先采用25A/μs）； d）试验电流脉冲的持续时间； e）受试器件的紧固力或紧固力矩
用耐久性试验确认某些型式晶闸管承受结温波动的能力
原理电路、试验电流和受试器件结温变化波形如图57和图58所示
图57热循环负载试验电路
58热循环负载试验电流和受试器件结温变化波
平波加热电流可采用正弦全波电流或直流电流代 电路及相应的设备宜同时试验若于只器件
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试验程序如下： 闭合开关S，施加规定的加热电流。 受试器件结温在规定的时间内达到规定的上限值时，断开开关S。 受试器件结温在规定的时间内冷却到不高于规定的下限值时，闭合开关S，完成一个循环。 按规定的循环次数重复上述过程。 试验后，按5.1.4、5.3.4、5.2和6.2.2测量通态峰值电压、断态和反向峰值电流以及热阻。如 果符合要求，则受试器件通过本项试验。
验厅如下 闭合开关S，施加规定的加热电流。 受试器件结温在规定的时间内达到规定的上限值时，断开开关S。 受试器件结温在规定的时间内冷却到不高于规定的下限值时，闭合开关S，完成一个循 按规定的循环次数重复上述过程。 试验后，按5.1.4、5.3.4、5.2和6.2.2测量通态峰值电压、断态和反向峰值电流以及热 果符合要求，则受试器件通过本项试验
附录A （规范性附录） 热敏斜率测量方法
热敏斜率测量也称为热敏校准曲线测量，是测量结温、热阻和瞬态热阻抗的基础。测量时施力 称为热敏电流（I），也称为热敏基准电流或测量电流。热敏电流在被测器件两端产生电压称关 压（V）。
原理电路如图A.1所示
图A.1热敏斜率测量电路
电流发生器G应能产生个至数个周期的正弦半波脉冲电流，且其峰值接近被测器件的额定电流， 以使被测器件完全导通。 直流稳流电源G2输出的电流应足够大（可按被测器件阴极面积取1A/cm²，或取被测器件额定电流 的1%～10%）以保证被测器件持续导通，且能忽略其在被测器件中产生的附加结温，并避免热敏曲线 上出现不连续点。电流纹波因数应不大于0.5%，以保证热敏电流稳定。 注1：如果热缴电流值偏小，热敏曲线会成为折线或出现不连续点（见图A.2）
图A.2热敏电压特性
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测量热敏电压时，应避免过剩电荷载流子和管壳的铁磁材料（如果含有）在紧接着加热电流中断后 产生的非热瞬态电压的影响。测量应在非热瞬态效应衰减后，且结温发生可观变化前进行。 注2：测量热敏电压V一般在加热电流中断0.5ms～1ms后尽快完成。为消除非热瞬态效应的影响，通常在热敏 电压曲线上延长直线部分至时刻to，从而得到对应的热敏电压V（见图A.3）。
图A.3瞬态热敏电压曲线
测量热敏电压的导线不应与施加热敏电流的导线共用，而应直接连接至被测器件两端，以消除导线 和接触的压降。 测量热敏电压的直流毫伏表的准确度等级宜更高，如0.2级、量程1V或2V。 测量时，被测器件不安装散热器，可紧固在恒温夹具上或放置在恒温箱（槽）中，温度波动范围应 在士1℃以内。如果使用恒温箱（槽），其温度应均匀、稳定，从恒温箱（槽）中引出的线应尽可能短， 节点尽可能少，线径应与热敏电流的大小适应。被测器件引线端在高温下也应接触良好。 温度测量范围为室温至额定结温之间。一般取五个温度测量点，最少取三点。 如果要获得平均热敏斜率，则被测器件不应少于10只，且其中任两只器件的热敏斜率值之差不大 于10%。
测量程序如下： 将被测器件紧固在恒温夹具上或放置在恒温箱（槽）中。 保持恒温夹具或恒温箱（槽）的温度为室温。 施加正弦半波脉冲电流，使被测器件完全导通。 施加热敏电流I，同时记录热敏电压和对应的被测器件温度（此时为室温）。 调整恒温夹具或恒温箱（槽）的温度（一般升高20℃左右）。达到热平衡后（即外部温度显示 能代表被测器件结温时），重复上述第三个和第四个列项。 重复上述第五个列项，记录被测器件在更高温度下的热敏电压。 在坐标纸上绘制V=(T)曲线即热敏斜率曲线。取曲线上任意两点，由式（A.1）计算热敏斜率：
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B.1最大正弦半波中频通态电流额定值（适用
附录B （规范性附录） 中频通态电流额定值表示方法
通常，在下列规定条件下，以电流脉冲重复率为参变量，用最大正弦半波通态电流峰值与其持续时 间的函数关系曲线［见图B.1a)］表示最大正弦半波中频通态电流额定值： a）基准点温度； b）开通前的断态电压； c）反向电压： 注：最大通态电流与施加的反向电压有明显关系时，宜给出两条或更多的曲线。 d）开通和关断期间的门极条件； e）RC阻尼电路； f）最小维持关断间隔H。 图B.1a）为曲线的示例。图B.1b）是为说明曲线给出的波形。
B.2最大梯形波中频通态电流额定值（适用时
通常，在下列规定条件下，以电流脉冲重复率为参变量，用最大梯形波通态电流峰值与其通态电流 上升率和占空比（或电流脉冲宽度）的函数关系曲线［见图B.2a）和图B.2b）］表示最大梯形波中频通 态电流额定值： a）基准点温度； b）开通前的断态电压； c）反向电压； 注：最大通态电流与施加的反向！ 给出两条或更多的曲线
图B.1最大正弦半波中频通态峰值电流表示法
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苏州实验学校二层框架结构综合楼工程施工组织设计d）开通和关断期间的门极条件； e）RC阻尼电路； f）最小维持关断间隔； g）占空比或通态电流上升率。 图B.2a）和图B.2b）为曲线的示例。图B.2c）是为说明曲线给出的波形。
b）正弦半波中频通态电流波形
图B.2最大梯形波中频通态峰值电流表示法
不同的di/de值对应不同的曲线放
c）梯形波中频通态电流波形 图B.2（续）
DB14／T 1665-2018标准下载打印日期：2014年2月24日F007