DB61／T 1448-2021标准规范下载简介
DB61／T 1448-2021 大功率半导体分立器件间歇寿命试验规程.pdf功率半导体分立器件间歇寿命试验规利
陕西省市场监督管理局发在
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弱电施工方案-样板段前言 引言.. III 1范围 规范性引用文件 3术语和定义 4试验系统 5试验程序. 5判据 7试验报告.
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率半导体分立器件间歇寿命试验
本文件规定了大功率半导体分立器件（以下简称器件）间歇寿命试验的术语和定义、试验系统、试 验程序、失效判据及试验报告的要求。 本文件适用于大功率双极型晶体管、场效应晶体管、绝缘栅场效应晶体管、二极管等半导体分立器 件的间歇寿命试验。
环境温度atmospheretemperature，Ta 被测器件周围的环境温度
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Tc（max）与Tc（min）的差值。
Tc（max）与Tc（min）的差值。
接通时间turn ontime，ton 一个循环周期内半导体器件的通电时间。接通时间内，器件持续升温到规定的最高循理 (max)。
一个循环周期内半导体器件的断电时间。关断时间内，器件持续降温到规定的最低循环温度
试验装置由计算机控制系统、数据收集系统、功率开关、冷却系统、温度检测单元、电源 歇寿命试验装置的典型构成见图1
图1间歇寿命试验装置的典型构成
4.2.1试验装置应能够提供和控制指定的温度和循环时间。 4.2.2计算机控制系统应能自动控制功率开关、冷却系统。 4.2.3数据收集系统，能够记录相关的试验数据，包括温度、试验时间、电参数测试信息和结果。 4.2.4功率开关。功率开关用来自动控制半导体器件“加电”和“断电”，以达到规定的循环次数 4.2.5冷却系统。包括强制空气或其他水冷装置，制冷方式的选择取决于试验样品和试验要求
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4.2.6温度检测单元。利用温度传感器检测试验过程的壳温变化情况。如有需要，通过测试半导体器 件的温度敏感参数获得结温变化情况 4.2.7电源应能满足半导体器件在 定温度的要求
5.1试验流程见图2.
2间歇寿命试验流程图
具固定器件引线JG／T 540-2017标准下载，导通
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5.2.2选择控制方式
试验电流电压等驱动条件的选择应根据产品的详细规范，不应超过产品的最大额定值。试验条件需 要通过摸底试验得到，ton/toff试验条件的设定应保证器件在间歇寿命试验的初始阶段达到△ Tc=85.s+15℃的要求。典型试验条件见表1。
表 1 典型试验条件
注：时控方式在正式试验开始之前上海市某群体住宅装修工程施工组织设计，需要先验证产品的温 在所设置的开启和关断时间（ton/toff）内 需保证壳温的变化量满足△Tc=85.s+15℃，
主：时控方式在正式试验开始之前 需保证壳温的变化量满足△Tc=85.
5.4.1完成上述试验后，对器件按照详细规范要求进行电参数及热阻（适用时）测试。 5.4.2终点测量应在器件从规定试验条件下移出后的96h内完成。 5.4.3在规定的时间内不能完成测试，器件在完成测量之前应追加200次相同条件的试验循环。