标准规范下载简介
DB3603T 4-2022 电瓷用半导体釉制作技术规范.pdfICS 29.035.30 CCSK48
echnicalspecificationforsemiconductorglazesforelectricceramics
萍乡市市场监督管理局发布
引言 111 范围.. 规范性引用文件 术语和定义 制作条件 制作技术要求 附录A（规范性附录） 制釉工序控制参考项目． 附录B（规范性附录） 施釉工序控制参考项目. 参考文献
湖南某垃圾处理场施工方案DB3603/T42022
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由萍乡市工业和信息化局提出并归口。 本文件起草单位：江西省工业和信息化研究院、中材江西电瓷电气有限公司、江西尤里卡企业咨询 顾问有限公司、芦溪高压电瓷电气研究院有限公司。 本文件主要起草人：曾杨、刘征、许承铭、陈志鹏、童熙、黎勇、曾强、徐江华、黄训宝、钱磊、 赖群、徐炎、袁志勇等。
01行业“污闪”现象难题 通常输变电设备外绝缘表面附着的污秽物在潮湿条件下，其可溶物质逐渐溶于水，在外绝缘表面 形成一层导电膜，导致绝缘水平大大降低，在强电场作用下出现的放电现象，即行业所说的“污闪” 污闪问题长期以来一直困扰着电力系统和铁路运输行业，成为电力输变电和电气化铁路的技术发展瓶 颈。尤其是随着工业污染和雾霾的日趋严重，污闪事故越来越多，严重威胁着高压电网和铁路轨道接触 网的安全性和可靠性，给人民的生命安全和国民经济造成巨大的损失。 02传统绝缘子解决“污闪”现状 传统瓷绝缘子防污闪的措施有定期停电清扫、增大绝缘子爬距、在绝缘子表面涂敷憎水涂料等， 采用复合绝缘子又存在老化、腐蚀、高温变形等问题容易导致防污失效，以上措施均不能有效解决“污 闪”问题。同时冬季绝缘子表面的覆冰对电力系统和铁路运输行业正常供电也有重大隐患。 03半导体釉绝缘子解决“污闪”和覆冰问题 针对上述问题，采用半导体釉制作的绝缘子因表面有一定电流通过，其热效应可以很好解决“污 闪”和覆冰问题。因此采用半导体釉制作的绝缘子对推进电瓷产业特色发展具备了重要的示范意义和社 会经济效益。 基于当前我省电瓷产业发展现实需要，急需制定电瓷半导体釉制作技艺规范这项地方标准，填补行 业该领域标准空白，引导产业规范生产和助力企业创新能力提升
电瓷用半导体釉制作技术规范
本文件规定了电瓷用半导体釉相关的术语和定义、制作条件和制作技术要求。 本文件适用于电瓷用半导体釉的生产及技术指导等相关工作
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T772高压绝缘子瓷件技术条件 GB/T8411.1陶瓷和玻璃绝缘材料第1部分：定义和分类 GB/T31838.3固体绝缘材料介电和电阻特性第3部分：电阻特性（DC方法）表面电阻和表面电阻率
球磨ballmilling
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利用下落的研磨体的冲击作用以及研磨体与球磨机器内壁的研磨作用而将物料粉碎并混合的工序 3.5 陈腐hackneyed 将混合好的釉料在一定的温度和潮湿封闭的环境中放置一段时间，使釉料之间充分反应和混合均 匀，以提高可塑性、均匀性及结合力的工艺。 3.6 孔隙porosity 材料中存在的孤立或连续的空洞，通常为不连续的气孔。 3.7 表面电阻率surfaceresistivity 在绝缘材料的表面层理的直流电场强度与线密度之商。 3.8 泄漏电流Ieakagecurrent 运行电压下受污表面受潮后流过绝缘子表面的电流。 注1：它是电压、气候（大气压力、温度、湿度等)、污秽三要素综合作用的结果，是动态参数。
将混合好的釉料在一定的温度和潮湿封闭的环境中放置一段时间，使釉料之间充分反应和混合 以提高可塑性、均匀性及结合力的工艺。
4.1.1基础釉用原料
长石、石英、 长丰泥、淘洗宜春土、淘洗江门土、烧滑石、硅灰石、章村土
4.1.2导电粒子用原料
碳酸钡、硅酸锆、二氧化锰、三氧化二铁、二氧化铬、二氧化锡、三氧化二锑、二氧化钛、 一住
4.2.1.1生产设备包含但不限于球磨机、除铁器、振动筛、搅拌机、施釉机、补水机等。 4.2.1.2设备选型要求应依据厂家工艺和产能要求确定
比重杯、粘度计、激光粒度分析仪、百分厚度仪、计时器、称量器等检测设备应适用于生产和计量 检测要求。有关检测项目对应检测设备参考如下： 一一釉浆水分应采用比重杯； 一一粘度应采用粘度计； 研磨粒度应采用激光粒度分析仪； 釉浆性能应采用比重杯和粘度计； 釉层厚度宜采用百分厚度仪。
4.2.3制作主要过程
.1.1基础釉用原料要求
原料成分比应符合表1和5.1.2要求。
原料成分比应符合表1和5.1.2要求。
图1半导体釉主要制作工艺路线图
表1基础釉用原料要求
：1.2导电粒子用原料
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球石与原料按配料要求比例装入球磨机进行研磨一定时间形成釉浆，出磨前检测粒度，合格后过筛 除铁并进行陈腐，试烧对比标准样后进行批量制成
球石清理后宜按Φ15/Φ20/Φ25/Φ30cm规格及20：30：30：20体积比准备，配料中的料球水比例 宜按1：1.6：0.6~0.8并适时调整保持一定稳态。
5.2.3.1球磨时间
采用球磨机研磨，球磨时间宜结合粒度和细度要求进行适时调整，粒度和细度要求如下： 激光粒度应不大于10um； 球磨细度先过60目筛，用325目筛余量宜在0.02~0.08%范围内，
5.2.3.2铁点检查
5.2.3.2.1研磨放浆前应通过2道200目的筛网后进行铁点检查。 5.2.3.2.2铁点检查采取抽样方式，每池搅拌均匀后抽取5Kg浆料，过200目筛后铁点数每0.5mm范 围内不大于5个。
5.2.4.1釉浆水分
釉浆水分控制比例要求详见附录A。
5.2.4.3高温流动度
高温流动度不小于45mm
高温流动度不小于45mm
釉料要求陈腐时间宜不少于1d。
试烧后应光滑平整、无色差，与标准样块目测对比应无明显差异
釉浆调制后通过浸、喷、淋等动作手段进行施釉形成釉坏
5.3.2.1坏体表面打磨干净，根据需求方图纸要求对所需部位进行施釉作业。 5.3.2.2施釉前釉浆搅拌宜不小于0.5h，釉浆性能检测应符合附录B要求。 5.3.2.3施釉过程中应持续搅拌，釉层厚度依据客户订货技术条件确定。
半导体釉烧成温度宜保持在1220~1280C范围内。
釉面进行孔隙性试验后不应有任何渗透现象，试验方法按照GB/T772规定执行
釉面应平整均匀，无釉滴、回头釉、缺釉、粘硅和其它附着杂质等釉面缺陷，其它釉面缺陷应符合 GB/T772规定的要求
试验采用瓷件上法兰端接高压（额定运行电压），下法兰接地进行检测，以客户订货技术条件为准， 泄漏电流宜在1.0士0.5mA范围内。
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附 （规范性附录） 制釉工序控制参考项目
3X10m钢筋混凝土（后张）预制空心板桥梁施工组织设计表A.1对部分制釉过程给出了参考性要求。
表A.1制釉工序控制参考项目
施釉工 表B.1对部分施釉过程给出了参考性要求。
附 录 B （规范性附录） 施釉工序控制参考项目
表B.1对部分施釉过程给出了参考性要求。
表B.1 施釉工序控制参考项目
江苏某学院江宁校区单体宿舍六层砖混结构施工方案DB3603/T42022