标准规范下载简介
SJ／T 11486-2015 小功率LED芯片技术规范.pdfSJ/T114862015
本规范按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。 本规范起草单位：上海蓝光科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、大连路美芯片科 技有限公司。 本规范主要起草人：丁晓民、齐胜利、崔波、张万生、张成山。
本规范按照GB/T1.1一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。 本规范起草单位：上海蓝光科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、大连路美芯片 限公司。 本规范主要起草人：工晓民、齐胜利、崔波、张万生、张成山。
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DB37／T 3921-2020 输水渠道预制衬砌板施工规程芯片的绝对最大额定值见表1
SJ/T 114862015
a) 金属电极表面应均匀，呈现原金属光泽； b) 金属电极缺损、划伤、污染面积不应大于10%，中央区域应无缺损； ) 金属电极边缘多余金属面积不应大于10%： d）金属电极各部位不应有断开现象。
4.4.3芯片镀层（金属镀层和介质镀层）
芯片正面或背面的镀层脱落不应超过镀层面积的
芯片排列应符合以下要求： a 芯片排列不应有连接、倾倒或翻转现象； ) 单颗芯片偏转角度不应超过15°； c）相邻两个芯片错位应小于整个芯片宽度的三分之一，且错位尺寸不大于100um。
古的光电特性参数见表2
片的光电特性分布和关
SJ/T114862015
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5. 1. 2 工作条件
使用符合准确度等级要求的仪器进行测量。
在垂直照明条件下，利用显微镜进行目视检查，显微镜放大倍数按照详细规范规定。 5.3外观
按照SJ/T11399—2009中5.2的规定测试
5.4.3小电流下电压
GB／T 38259-2019 信息技术 虚拟现实头戴式显示设备通用规范5.4.5发光强度或光通量或光功率
5.4.6电光转换效率
5.4.7发光强度或光通量或光功率保持率
按照SJ/T113992009中8.3的规定测试
5.4.9峰值发射波长
5.4.10光谱辐射带宽
DB61／T 1295-2019 保水采煤技术规范.pdfSJ/T114862015
5.4.12光谱功率分布