标准规范下载简介
GB 29447-2022 多晶硅和锗单位产品能源消耗限额.pdfICS27.010 CCS F01
rmofenergyconsumptionperunitproductsofpolysiliconandgermaniun
JGJT277-2012标准下载国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会
晶硅和锗单位产品能源消耗限密
本文件规定了多晶硅和锗单位产品能源消耗（以下简称能耗）的限额等级、技术要求、统计范围和计 算方法。 本文件适用于以高纯氢气还原三氯氢硅生产光伏用多晶硅（以下简称“多晶硅”）的企业，以锗精矿 再生锗原料为原料生产高纯四氯化锗、高纯二氧化锗、区熔锗锭、锗单晶的企业进行能耗的计算、考核、 以及对新建、改建和扩建项目的能耗控制。 本文件不适用于电子级多晶硅及硅烷流化床法生产多晶硅的企业的能耗计算，
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于 本文件。 GB/T2589综合能耗计算通则 GB/T5238锗单晶和锗单晶片 GB/T11069高纯二氧化锗 GB/T11071区熔锗锭 GB/T12723单位产品能源消耗限额编制通则 GB/T14264半导体材料术语 GB/T25074太阳能级多晶硅 YS/T13高纯四氯化锗
多晶硅单位产品能耗限额等级见表1，其中1 1级能耗最低
注1：锗单位产品能耗限额均以该产品折算成对应的错金属量进行计算。 注2：高纯四氯化锗以锗精矿、再生锗原料经氯化蒸馏、精馏工序生产，高纯二氧化锗以高纯四氯化锗为原料纟 水解、烘干、焙烧工序生产，区熔锭以高纯二氧化锗为原料经氢气还原、区熔提纯工艺生产，锗单品以区 熔锗锭为原料经直拉法单晶生长工艺生产
注1：锗单位产品能耗限额均以该产品折算成对应的错金属量进行计算。 注2：高纯四氯化锗以锗精矿、再生锗原料经氯化蒸馏、精馏工序生产，高纯二氧化锗以高纯四氯化锗为原料纟 水解、烘干、焙烧工序生产，区熔锭以高纯二氧化锗为原料经氢气还原、区熔提纯工艺生产，锗单品以区 熔锗锭为原料经直拉法单晶生长工艺生产
5.1.1现有多晶硅生产企业的多晶硅单位产品综合能耗限定值应符合表1中3级的规定。 5.1.2现有储生产企业的锗单位产品综合能耗限定值应符合表2中3级的规定。
5.2.1新建或改、扩建多晶硅生产企业的多晶硅单位产品综合能耗准入值应符合表1中
新建或改、扩建多晶硅生产企业的多晶硅单位产品综合能耗准入值应符合表1中2级的规定。 新建或改、扩建锗生产企业的锗单位产品综合能耗准人值应符合表2中2级的规定
6.1.1多晶硅单位产品综合能耗统计范围
6.1.1.1多晶硅的能耗，包括从原材料进入生产厂区开始直到合格产品进入成品仓库或出厂的整个过 程，包括主要生产系统（三氯氢硅合成、三氯氢硅精馏提纯、四氯化硅氢化、还原、还原尾气干法回收、产 品处理包装、硅芯制备、氢气制备、“三废”处理等），辅助生产系统（纯水、循环水、脱盐水、氮气、压缩空气 等制备及蒸汽锅炉、空调、化验、机修、库房、运输等）及附属生产系统（生产调度指挥系统、职工食堂、办 公室等）的能耗。 6.1.1.2设备大修的能耗，按检修后设备的运行周期逐月平均分摊。 6.1.1.3多晶硅生产中存在工序缺省、工序产量不足而外购或产量富余而外售原材料、中间产品时，综 合能耗值应增加或减少相应的能耗值。
6.1.2.1锗产品的能耗，包括从原材料进入生产厂区开始直到合格产品进人成品仓库或出厂的整个过 程，存在多个产品（工序）时，能耗需要进行累加计算。 6.1.2.2高纯四氯化锗产品能耗的统计范围包括生产过程的原料破碎、输送、盐酸浸出、氯化蒸馏、复 蒸、萃取、精馏、二次精馏等工序环节的能耗， 6.1.2.3高纯二氧化锗产品的能耗统计范围包括水解反应过程的搅拌、冷却、产品的过滤（或压滤）、洗 涤、烘干、焙烧等工序环节的能耗。 6.1.2.4区熔锗锭产品的能耗统计范围包括还原炉还原及铸锭系统、制氢及纯化系统、区熔炉区熔提纯 系统、冷却水循环系统的能耗。 6.1.2.5锗单晶能耗包括单晶炉加热系统、单晶炉水冷却系统、冷却水循环系统、制氮及纯化系统、真空 系统的能耗。 6.1.2.6此外还包括产品检测和包装、机修车间、“三废”处理车间、办公区分摊的能耗，以及厂区内空气 净化、通风、尾气吸收净化等系统分摊的能耗。
6.2.1产品产量以报告期内企业生产的合格产品的总产量计，单位为千克（kg）。多晶硅产品质量应符 合GB/T25074的规定。高纯四氯化锗产品质量应符合YS/T13的规定，高纯二氧化锗产品质量应符 合GB/T11069的规定，区熔锗锭产品质量应符合GB/T11071的规定，红外锗单晶产品质量应符合 GB/T5238的规定。 6.2.2多晶硅的综合能耗按公式（1)计算：
E=≥(e;Xpi)
E=∑(e:Xpi) ··.................................·.（
式中： E —一 报告期内的产品综合能耗，单位为千克标准煤（kgce)； 7 消耗的能源种类数； Ei 报告期内产品消耗的第i种能源量（含耗能工质消耗的能源量)，单位为千克（kg)或立方米 (m); P 一一第i种能源的折标准煤系数（见附录A）。 2.3多晶硅的单位产品综合能耗按公式（2）计算：
E E配 ··..…............·.......·...··（2 P
E 一一报告期内产品的单位产品综合能耗，单位为千克标准煤每千克（kgce/kg)； P 一报告期内的合格产品产量，单位为千克（kg）。 A 3 多晶硅生产中存在工序缺省、工序产量不足而外购或产量富余而外售原材料、中间产品时，相应 能耗值按公式（3)计算：
的能耗值按公式（3）计算
Qm 外购的原材料及中间产品的量，三氯氢硅的单位为千克（kg）、氢气的单位为立方米（m”）、 硅芯的单位为千克（kg)； 2 外售的原材料及中间产品对应的实际单位产品能耗值，三氯氢硅的单位为千克标准煤每千 克（kgce/kg），氢气的单位为千克标准煤每立方米（kgce/m），硅芯的单位为千克标准煤每 千克（kgce/kg）； Q 外售的原材料或中间产品的量，三氯氢硅的单位为千克（kg），氢气的单位为立方米（m")， 硅芯的单位为千克（kg)。
注：公式中的氢气的体积均为0℃，1个标准大气压时的体积。 6.2.5多晶硅生产中存在工序缺省、工序产量不足而外购或产量富余而外售原材料、中间产品时闸室加固工程粘贴钢板、植筋专项施工方案，多晶 硅单位产品综合能耗按公式（4）计算：
E。一一报告期内产品的单位产品综合能耗，单位为千克标准煤每千克（kgce/kg)； E、一一报告期内外购或外售的原材料及中间产品而产生的能耗值，单位为千克标准煤每千克 (kgce/kg); P一一报告期内的合格产品产量，单位为千克（kg)。 6.2.6锗的综合能耗按公式（5）计算：
2 — 报告期内的锗产品综合能耗，单位为千克标准煤（kgce)； ? 一 消耗的能源种类数； é；一一报告期内锗产品消耗的第i种能源量(含耗能工质消耗的能源量),单位为千克(kg)或立方 米（m)； 0i一—第i种能源的折标准煤系数（见附录A)。 6.2.7锗的单位产品综合能耗按公式（6）计算：
EGe 报告期内锗产品的单位产品综合能耗，单位为千克标准煤每千克（kgce/kg)； P 报告期内合格锗产品含有的储金属量，单位为千克（kg）。
1.1 常用能源折标准煤系数（参考值）见表A.1
常用能源和耗能工质折标准煤系数（参考值）
A.2 参考值）见表
地基强夯加固施工方案表A.2 常用耗能工质折标准煤系数（参考值