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GB／T 40109-2021 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法.pdf

ICS71.040.40 CCS G 04

GB/T40109—2021/ISO17560:2014

（ISO17560:2014.IDT）

GB 7956.5-2019 消防车 第5部分：气体消防车GB/T401092021/ISO17560:2014

前言 引言 范围 规范性引用文件 符号和缩略语 原理 参考物质 5.1 用于校准相对灵敏度因子的参考物质 5.2用于校准深度的参考物质 仪器 6.1 二次离子质谱仪 6.2 触针式轮廓仪 6.3 光学干涉仪 样品 步骤 8.1 二次离子质谱仪的调整 8.2 优化二次离子质谱仪的设定 8.3 进样 8.4 检测离子 8.5 样品检测 8.6 校准 结果表述 测试报告 附录A（资料性） 针式表面轮廓仪测试统计报告 参考文南

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本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 草。 本文件使用翻译法等同采用ISO17560：2014《表面化学分析二次离子质谱硅中硼深度剖析方 》 与本文件中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下： GB/T20176一2006表面化学分析二次离子质谱用均匀掺杂物质测定硅中硼的原子浓 度(ISO14237:2000,IDT) 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国微束分析标准化技术委员会（SAC/TC38)提出并归口。 本文件起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所。 本文件主要起草人.马农农、何友琴、陈潇、张鑫、王东雪、李展平

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表面化学分析二次离子质谱

本文件描述了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中硼进行深度部副析的方法，以及用触针 式表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。 本文件适用于硼原子浓度范围1×1016atoms/cm3～1×1020atoms/cm"的单晶硅、多晶硅或非晶 硅样品.溅射弧坑深度在50nm及以上

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用氧或艳离子束扫描样品表面，对离子束扫描区域限定窗口范围内溅射出的硼和硅的二次离子进 行探测和质量分析，将记录的质量分析后的离子信号强度作为溅射时间的函数。使用触针式轮廓仪或 光学干涉仪，测量出离子束溅射形成弧坑的深度，以此标定深度。 注：光学干涉法一般适用于深度在0.5um~5um范围的坑深测试。

5.1用于校准相对灵敏度因子的参考物质

SO14237：2010第4章的规定选取参考物质

5.2用于校准深度的参考物质

6. 1二次离子质谱仪

某小区水电施工方案使用灵敏度和触针形状适合于测试待测弧坑轮廓的触针式轮廊仪

使用灵敏度和功能适合于测试待测弧坑轮廊的光学

样品应切割成适于分析的 油和清洗还理 ：坑深测量的精密度 抛光的晶片样品效果更好。

应切割成适于分析的尺 处理 深测量的精密度受表 求精确深度测量，则经镜面抛光的晶片样品效果更好

8.1二次离子质谱仪的调整

.1氧离子束使用条件，见表1。艳离子束使用条件，见表2。没有在此列出的其它条件应参照厂 明书或当地成文的步骤设定

GB 50033-2013 建筑采光设计标准(完整正版、清晰无水印).pdfGB/T401092021/ISO17560:2014

表1氧离子束时的测量条件