标准规范下载简介
GB／T 20229-2022 磷化镓单晶.pdfICS 29.045 CCS H 83
GB/T20229—2022 代替GB/T20229—2006
古建筑工程施工组织设计Gallium phosphide single crystal
国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 本文件代替GB/T20229一2006《磷化镓单晶》，与GB/T20229一2006相比，除结构调整和编辑性 动外，主要技术变化如下： 更改了适用范围（见第1章，2006年版的第1章）； 增加了“术语和定义”一章（见第3章）； 更改了牌号的表示方法（见第4章，2006年版的3.1）； d 更改了掺杂n型磷化镓单晶锭的载流子浓度、电阻率要求（见5.1.1，2006年版的3.2.2）； 增加了P型、半绝缘型磷化傢单晶锭的电学性能要求（见5.1.1）； 删除了磷化镓单晶锭直径的要求（见2006年版的3.2.4）； 增加了磷化傢单晶锭的位错密度要求（见5.1.3）； 删除了磷化单晶锭无李晶线的要求（见2006年版的3.2.5）； 更改了磷化镓单晶研磨片位错密度的要求（见5.2.1，2006年版的3.3.2）； J 增加了磷化单晶研磨片表面取向的要求（见5.2.2）； k） 更改了直径50.8mm磷化镓单晶研磨片的厚度及允许偏差要求（见5.2.3，2006年版的3.3.4）； 1 增加了磷化镓单晶研磨片几何参数中翘曲度、总厚度变化、总指示读数的要求（见5.2.3）； m）增加了直径63.5mm、76.2mm磷化镓单晶研磨片的几何参数要求（见5.2.3）； n 更改了磷化镓单晶研磨片表面质量的要求（见5.2.4，2006年版的3.3.3）； 0） 更改了试验方法（见第6章，2006年版的第4章）； P 更改了组批、检验项目、取样及检验结果的判定（见第7章，2006年版的第5章）； q 更改了标志的要求（见8.1，2006年版的6.1）； 更改了包装的要求（见8.2，2006年版的6.2、6.3）； 更改了随行文件的要求（见8.5，2006年版的6.5）； t）增加了订货单内容（见第9章）； u）增加了规范性附录“磷化镓单晶位错密度的测试方法”（见附录A）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 支术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。 本文件起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、有研国晶辉新材料有限公司、有色金属技 经济研究院有限责任公司。 本文件主要起草人：孙聂枫、王阳、李晓岚、刘惠生、李素青、王书杰、邵会民、史艳磊、张路、许兴 莉杰、张晓丹、姜剑。 本文件于2006年首次发布，本次为第一次修订
件及订货单内容。 本文件适用于制作光电、微电及声光器件用的磷化镓单晶锭及磷化镓单晶研磨片
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于 本文件。 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样 计划 GB/T4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T6621 硅片表面平整度测试方法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T14844 半导体材料牌号表示方法 SJ/T11488 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法
GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件
5.1磷化镓单晶锭特性
晶锭的电学性能应符合表
磷化单晶锭的晶向为《111
磷化镓单晶锭的位错密度应符合表2的规定
5.2磷化单晶研磨片特性
5.2.1电学性能、位错密度
磷化单晶研磨片的电学性能、位错密度应分别符合磷化镓单晶锭特性中5.1.1、5.1.3的要求， 提供对应磷化镓单晶锭的检验结果
麟化镓单晶研磨片的几何参数应符合表3的规定
1.1.1磷化镓单晶锭导电类型的检测按GB/T4326的规定进行。 1.1.2n型、P型磷化镓单晶锭电阻率、载流子浓度及迁移率的检测按GB/T4326的规定进行。 1.1.3半绝缘型磷化镓单晶锭电阻率的检测按SJ/T11488的规定进行。
磷化像单晶锭晶向的检测按GB/T 1555的规定进行
磷化镓单晶锭位错密度的检测按附录A的
磷化镓单晶锭位错密度的检测按附录A白
磷化镓单晶锭外观质量的检测采用在日光灯下目视检查
6.2磷化镓单晶研磨片
磷化镓单晶研磨片表面取向的检测按GB/T1555的规定进行。
5.2.2.1磷化镓单晶研磨片直径及允许偏差的检测用精度0.02mm的量具进行。 6.2.2.2磷化镓单晶研磨片厚度及允许偏差、总厚度变化的检测按GB/T6618的规定进行 6.2.2.3磷化镓单晶研磨片翘曲度的检测按GB/T6620的规定进行。 6.2.2.4磷化单晶研磨片总指示读数的检测按GB/T6621的规定进行
晶研磨片表面质量的检测按GB/T6624的规定
GB/T 202292022
1产品由供方或第方进行检验，保证产品质量符合本文件及订货单的规定。 2需方可对收到的产品按本文件的规定进行检验。如检验结果与本文件及订货单的规定不符时 收到产品之日起三个月内以书面形式向供方提出，由供需双方协商解决。如需仲裁，应由供需双 商确定。
7.2.1磷化镓单晶锭应成批提交验收。每批应由同一根磷化镓单晶锭组成。 7.2.2磷化镓单晶研磨片应成批提交验收。每批应由同一牌号，并可追溯生产条件的磷化镓单晶锭加 工的磷化傢单晶研磨片组成
7.3.1磷化镓单晶锭的检验项目及取样应符合
化镓单晶锭的检验项目及取样应符合表4的规负
表4磷化镓单晶锭的检验项目及取样
磷化单晶研磨片的检验项目及取样应符合表
表5磷化镓单晶研磨片的检验项目及取样
7.4.1磷化镓单晶锭电学性能、晶向、位错密度的检验结果中有任意一项不合格时，允许对该磷化镓单 晶锭另取双倍数量的试样，对不合格的项目进行重复检验。若重复检验结果仍有任一试样不合格，则判 该根磷化单晶锭为不合格。 7.4.2磷化镓单晶锭的外观质量检验结果不合格时，判该根磷化镓单晶锭不合格。 7.4.3磷化镓单晶研磨片表面取向、几何参数、表面质量的检验结果接收质量限应符合表5的规定，或 由供需双方协商确定
8标志、包装、运输、购存和随行文件
8.1.1在检验合格的磷化单晶研磨片的包装片盒上应张贴标签，其上注明：
a）产品名称； b) 产品牌号； c) 产品批号； d) 产品数量； e) 其他。 8.1.2 产品包装箱外应贴有标签，其上标明： a) 供方名称、商标； b) 产品名称； c) 产品规格； d) 产品数量； e) 出厂日期： f) “小心轻放”“防潮”“防腐”“易碎”标志或字样； g) 其他。
8.2.1磷化镓单晶锭装入洁净的塑料袋内后，放入有凹槽的泡沫内，再置人包装箱内。 8.2.2磷化单晶研磨片装人洁净的包装片盒内，外用洁净的塑料袋及铝箔袋抽真空或充人氮气密封 包装，再置人包装箱内
SY／T 0097-2016 油田采出水用于注汽锅炉给水处理设计规范.pdf产品应贮存在清洁、干燥的环境中
每批产品应附有随行文件，其中除应包括供方信息、产品信息、本文件编号、出厂日期或包装日期 还宜包括下列文件。 a）产品质量证明书，内容如下： ·供方名称； 需方名称； 合同号； ·产品名称、规格、牌号； ·产品批号； ·产品数量； ·各项参数检验结果； ·技术监督部门印记和检验员盖章。 b）产品合格证内容如下，
每批产品应附有随行文件，其中除应包括供方 还宜包括下列文件。 a）产品质量证明书，内容如下： ·供方名称； 一 需方名称； 合同号； 产品名称、规格、牌号； ·产品批号； 产品数量； · 各项参数检验结果； ·技术监督部门印记和检验员盖章。 b）产品合格证，内容如下：
·检验项目及其结果； ·产品批号； ·检验日期； · 检验员签名或印章。 C) 产品质量控制过程中的检验报告及成品检验报告。 产品使用说明：正确搬运、使用、贮存方法等。 e）其他。
需方可根据自身的需要，在订购本文件所列 a）产品名称； b）产品规格； c）产品数量； d）本文件编号； e）本文件中要求在订货单中注明的内容； 适用的包装要求； g）其他
GB／T 38066-2019标准下载附录A （规范性） 磷化镓单晶位错密度的测试方法
些化学腐蚀液对晶体缺陷部分有择优 蚀作用，在晶体表面上的位错露头处腐蚀速度较快，进而形成具有特定形状的腐蚀坑。在显微镜下观 察并按一定规则统计这些腐蚀坑，单位视场面 腐蚀坑个数即为位错密度