标准规范下载简介
GB／T 26069-2022 硅单晶退火片.pdfICS 29.045 CCS H 82
GB/T26069—2022 代替GB/T26069—2010
Annealed monocrystalline silicon wafers
国家市场监督管理总局 发布 国家标准化管理委员会
本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规负 本文件代替GB/T26069—2010《硅退火片规范》，与GB/T26069—2010相比，除结构调整和编辑 文动外，主要技术变化如下： a）“范围”一章增加了包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单等内容GBT50362-2005标准下载，更改了硅单晶退火片的 适用范围（见第1章，2010年版的第1章）； b 增加了术语“退火片”“技术代”及其定义（见第3章）； c）增加了65nm、45nm、32nm和22nm集成电路线宽所需的硅单晶退火片的技术规格（见第 章； 增加了退火片的基本要求应符合GB/T12962、GB/T29504、GB/T12965、GB/T29508的要 求（见5.1）； 更改了硅片标识、径向氧含量、厚度及允许偏差、局部光散射体等要求，删除了直径、边缘表面 条件、平整度、滑移、体微缺陷（BMD)刻蚀带深度等要求，增加了主参考面或切口晶向、边缘车 廓、背表面状态、洁净区宽度（DZ)等要求（见第5章，2010年版的4.2）； 删除了径向电阻率变化、晶向、参考面长度、主参考面晶向、晶体完整性、直径、间隙氧含量、间 隙氧含量径向变化、边缘轮廓的测量方法（见2010年版的5.3、5.4、5.5、5.6、5.7、5.9、5.10禾 5.15) g 更改了厚度、总厚度变化、局部平整度的测量方法（见6.3,2010年版的5.11和5.13）； h） 更改了翘曲度的测量方法（见6.4，2010年版的5.12）； 1） 增加了背表面光泽度的测量方法（见6.6）； j 更改了表面金属含量的测试方法（见6.8，2010年版的5.17）； k） 增加了体金属（铁）含量的测试方法（见6.10）； 1 增加了洁净区宽度及体微缺陷密度的检验方法（见6.11）； m）更改了组批方式（见7.2，2010年版的6.2）； n 全检项目中增加了导电类型、几何参数、表面金属含量和氧化诱生缺陷（见7.3.1）； O 增加了检验结果的判定（见7.5）； P 更改了包装（见8.1，2010年版的7.2）； q）增加了随行文件（见8.5）。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标 术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本文件起草单位：有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、浙江众晶电子有网 司、洛阳鸿泰半导体有限公司、开化县检验检测研究院、浙江中晶科技股份有限公司、浙江金瑞泓科折 分有限公司、浙江海纳半导体有限公司、中环领先半导体材料有限公司。 本文件主要起草人：孙燕、宁永铎、楼春兰、陈锋、黄笑容、王振国、张海英、潘金平、由佰玲。 本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为： 2010年首次发布为GB/T26069—2010； 本次为第一次修订
本文件规定了硅单晶退火片（以下简称退火片)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 运输、贮存、随行文件及订货单内容。 本文件适用于通过退火工艺在硅单晶抛光片表面形成一定宽度洁净区的硅片，产品用于技术代 180nm~22nm的集成电路
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于 本文件。 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T2828.1一2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样 计划 GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T12962 硅单晶 GB/T12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T14264 半导体材料术语 GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T29504 300mm硅单晶 GB/T29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T29508 300mm硅单晶切割片和磨削片 GB/T32280 硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法 GB/T39145 硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 YS/T28硅片包装 YS/T679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法
GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件， 3.1 退火片annealedwafer 在中性或还原气氛中进行高温退火而导致硅抛光片近表面洁净区内无晶体缺陷[包括晶体原生凹 坑（COP）1的硅片。
技术代technologygeneration
在集成电路制造中特定工艺的特征尺寸，即由特定工艺决定的所能光刻或制作的最小尺寸 生：技术代也称为技术节点。
退火片按技术代分为180nm、130nm、90nm、65nm、45nm、32nm和22nm七种规格，其他规格 由供需双方协商确定，
退火片的基本要求应符合 12965、GB/T29508及表1的规定 电类型、电阻率外的基本要求指标，仅由供方提供各项检验结果
单位为10"每平方厘米
单位为10″每平方厘
注：退火片的正表面金属含量以每平方厘米的原子个
退火片的氧化诱生缺陷、体金属（铁）含量、洁净区宽度（DZ）、体微缺陷密度（BMD）由供需双 确定。 2需方如对退火片的其他性能有特殊要求，由供需双方协商确定
5.5.1退火片的氧化诱生缺陷、体金属（铁）含量、洁净区宽度（DZ）、体微缺陷密度（BMD）由供需双方 协商确定。 5.5.2需方如对退火片的其他性能有特殊要求，由供需双方协商确定
6.1退火片导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。 6.2退火片电阻率的测试按GB/T6616的规定进行。 6.3退火片厚度、总厚度变化及平整度、局部平整度的测试按GB/T29507的规定进行 6.4 退火片翘曲度的测试按GB/T32280的规定进行。 6.5退火片正表面的局部光散射体、划伤（微观）等的测试按GB/T19921的规定进行。 5.6 退火片背表面光泽度的测试用光泽度仪进行。 6.7退火片的其他表面质量检验按GB/T6624的规定进行
6.1退火片导电类型的测试按GB/T1550的规定进行。 6.2退火片电阻率的测试按GB/T6616的规定进行。 6.3退火片厚度、总厚度变化及平整度、局部平整度的测试按GB/T29507的规定进行。 6.4退火片翘曲度的测试按GB/T32280的规定进行。 6.5退火片正表面的局部光散射体、划伤（微观）等的测试按GB/T19921的规定进行。 .6 退火片背表面光泽度的测试用光泽度仪进行。 .7 退火片的其他表面质量检验按GB/T6624的规定进行
6.8退火片表面金属含量的测试按GB/T39145的规定进行，或按供需双方协商确定的方法进行， 6.9退火片氧化诱生缺陷的检验按GB/T4058的规定进行。 6.10退火片体金属（铁）含量的检测按YS/T679的规定进行，或按供需双方协商确定的方法进行 6.11退火片洁净区宽度、体微缺陷密度的检验按供需双方协商确定的方法进行
.1产品由供方进行检验，保证产 及订货单的规定，并填写质量保证书。 检验，如检验结果与本文件或订货单的规定不符 在收到产品之日起三个月内以 由供需双方协商解决
退火片应成批提交验收，每批应由相同规格的退火片组成，组批方式也可由供需双方协商确定。
银河花园9、10、11楼模板工程施工方案7.3.1每批退火片应对导电类型、电阻率、几何参数、表面质量、表面金属含量、氧化诱生缺陷进行 验验。
7.5.1导电类型的检验结果中有任意一片不合格时，判该批产品为不合格 7.5.2电阻率、厚度及允许偏差、总厚度变化、翘曲度、局部平整度、表面质量（目检）的接收质量限 （AQL）见表5，或由供需双方协商确定
7.5.1导电类型的检验结果中有任意一片不合格时，判该批产品为不合格。
表5退火片表面检测项目和接收质量限
GB/T260692022
c) 产品批号； d) 产品片数（盒数）； e) 各项参数检验结果和检验部门的印记； f) 出厂日期； g）本文件编号。
中国药科大学江宁校区二期道路工程4号桥施工组织设计c）产品批号； d）产品片数（盒数）； E 各项参数检验结果和检验部门的印记； f) 出厂日期； g）本文件编号
a）产品名称； b）产品技术要求； 产品数量； d) 本文件编号； e）其他。